IGBT是如何導通與關斷的

我有點糊涂,IGBT開通是要給個正的脈沖還是要在導通時間內都要給正電壓
IGBT關斷是要給負脈沖嗎?

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蒲公英的翅膀

LV.6

2006-05-16 09:01

一般來說,我們認為IGBT的導通過程是和MOSFET相同的,但是IGBT在關斷時為了防止誤導通我們會加上一個-10V左右的電壓,這里的具體原因我說不清楚,但是和IGBT的物理結構是相關的!

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emailcwb

LV.2

2006-07-18 22:48

@蒲公英的翅膀

快速抽去G極的電荷,使之快速關斷;提高其抗干擾的能力,這與的三極之間的分布電容有關.

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led-sz

LV.5

2006-07-19 17:54

@emailcwb

快速抽去G極的電荷,使之快速關斷;提高其抗干擾的能力,這與的三極之間的分布電容有關.

那請問
正常的MOS驅動電路(MOS)可以代換成IGBT嗎

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emailcwb

LV.2

2006-07-19 20:00

@led-sz

那請問正常的MOS驅動電路(MOS)可以代換成IGBT嗎

沒試過.不過,MOSFET和IGBT相比,工作頻率要高,再一個MOSFET的導通壓降比IGBT大,這個對IGBT的過流保護有影響.

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safetytest

LV.4

2006-07-21 11:56

MOSFET管具有開關速度快,電壓控制的優點,缺點是導通電壓降稍大,電流,電壓容量不大;雙極型晶體管,卻與它的優點缺點互易,因而就產生了使它們復合的思想;控制時有MOSFET管的特點,導通時具有雙極型晶體管的特點,這就產生IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)管研制的動機,該管稱為絕緣柵雙極晶體管.

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云游四海

LV.1

2006-07-30 03:47

@safetytest

MOSFET管具有開關速度快,電壓控制的優點,缺點是導通電壓降稍大,電流,電壓容量不大;雙極型晶體管,卻與它的優點缺點互易,因而就產生了使它們復合的思想;控制時有MOSFET管的特點,導通時具有雙極型晶體管的特點,這就產生IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)管研制的動機,該管稱為絕緣柵雙極晶體管.

哪里可以下載這方面的技術書籍?

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