一、輸入輸出指標：

 

輸入：9V-18V DC

輸出：1、23V   300mA 給A相IGBT上橋驅動

            2、23V   300mA 給B相IGBT上橋驅動

            3、23V   300mA 給C相IGBT 上橋驅動

            4、23V   300mA 給A、B、C相IGBT 下橋驅動

            5、18V   100mA 后接LDO，轉換成+15V，給模擬部分供電

            6、-18V   100mA后接LDO，轉換成-15V，給模擬部分供電

            7、12V   200mA 給解碼電路及外部需隔離的器件供電

            8、6V    800mA 后接LDO，轉換成+5V，給數字部分供電

                            +5V再后接+3.3V，+1.5V LDO，給MCU供電

效率：η = 85%

開關頻率：fs=200kHz

 

二、基本參數計算

 

輸入最小電壓

 

VINmin=9V

輸出功率

POUT=23×0.3×4+18×0.1×2+12×0.2+6×0.8=38.4W

輸入功率

PIN=POUTη=38.40.85=45.2W

應使用45.2*3 = 135.2uF的輸入電容，這里選擇標準值330uF/25V的輸入電容

 

三、確定VOR與VZ

VINmax= 18V

選擇MOSFET為Infineon公司IPD144N06NG額定電壓為60V，額定電流為50A，取20%安全余量，

VIN + VZ ≤ 50V

VZ ≤ 50V – 18V = 32V

選擇穩壓管為ON Semi公司1SMB5935BT3，其VZ典型值為27V

取

VOR =9V

 

四、匝比

 

輸出二極管選擇FairChild公司ES1A，正向導通壓降為0.92V@1A，正向電流為1A

則6V繞組所需匝比為：

n6V =VORVO + VD=96 + 0.92= 1.301

取n6V=2

 

五、最大占空比（理論值）

 

VINmin = 9V

Dmax=VORVOR + VINmin= 99+9 =0.5

 

五、計算初級電感

 

LP=(VINmin×Dmax)22×PIN×fs×KRF

      =(9×0.5)22×45.2×200×103×0.6

     =1.87uH

取LP=2uH

其中KRF為電流紋波因子。

 

六、選擇磁芯

 

由于輸出功率為38.4W，留出余量，選擇EE30（EF25）磁芯。其參數如下：

Ve=6290mm3，Ae=109mm2，le=57.7mm

(Ve=2990mm3，Ae=51.8mm2，le=57.8mm)

 

Ap=AwAe=73.35×109=7995mm4

(Ap=AwAe=91.7×51.8=4752mm4)

 

七、最小初級匝數

 

IPeak=2×KRF×PINVINmin×Dmax=2×0.6×45.29×0.5=12.05A

 

NPmin=LP×IPeakBm×Ae

             =2×10-6×12.050.25×109×10-6

             =0.88

 

取NP=2

 

八、初級、次級匝數關系

NS_6V=NPn6V=21.301=1.537T

 

取NS_6V=2T

則NP=2×1.301=2.6≈3T

NS_23V=23+0.926+0.92×2=7T

NS_18V=18+0.926+0.92×2=6T

NS_12V=12+0.926+0.92×2=4T

九、選擇線徑

 

十、計算氣隙