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  • 【問】TI的低壓MOSFET用在BUCK電路中,如何避免上下管的直通情況發生?

【問】TI的低壓MOSFET用在BUCK電路中,如何避免上下管的直通情況發生?

TI的低壓MOSFET用在同步BUCK電路中,如何避免上下管的直通情況發生?
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2012-06-07 00:05

如果是同步整流的BUCK電路,驅動做不好的話,的確會存在上下管直通的情況發生,要想解決這幾個問題,要做到以下幾點

1、合理的上下管導通死區時間,如果太小就會存在直通的可能導致炸管,如果太大,對電源的整體效率提升有負面作用

2、合理的選擇上下管的驅動電阻,太大會影響驅動功率,以及電源的整體效率,太小就會影響EMI以及會造成直通的可能,還有就是上下管的尖峰問題

3、注意電路的layout,因為布線引起的分布電感(特別是大電流回路)會產生大量的尖峰,嚴重影響電路的EMI跟效率,嚴重時會導致下管的誤導通

4.選擇合適的MOSFET,主要關注的是Qrr跟body diode 的trr

以上供你參考

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javike
LV.12
3
2012-06-07 09:07
和MOS的主要關系不大,主要是驅動IC要預留合適的死區時間,其次是要注意PCB layout。
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2012-06-07 09:58
@javike
和MOS的主要關系不大,主要是驅動IC要預留合適的死區時間,其次是要注意PCBlayout。

呵呵,這個跟MOSFET的關系太大了!!!甚至是主要的問題。

我有這個方面的資料,由于有版權問題,不方便發上來,但第4點非常重要

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javike
LV.12
5
2012-06-07 10:06
@心中有冰
呵呵,這個跟MOSFET的關系太大了!!!甚至是主要的問題。我有這個方面的資料,由于有版權問題,不方便發上來,但第4點非常重要
預留死區就可以了吧,MOS管的恢復時間肯定是有的,死區就是為了防止MOS管開關瞬間的恢復時間內直通
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2012-06-07 10:54
@javike
預留死區就可以了吧,MOS管的恢復時間肯定是有的,死區就是為了防止MOS管開關瞬間的恢復時間內直通

死區太長對效率影響很大!我在上面第一點有說明

主要是流過body diode的電流會造成較大損耗

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2014-11-14 11:08
@心中有冰
如果是同步整流的BUCK電路,驅動做不好的話,的確會存在上下管直通的情況發生,要想解決這幾個問題,要做到以下幾點1、合理的上下管導通死區時間,如果太小就會存在直通的可能導致炸管,如果太大,對電源的整體效率提升有負面作用2、合理的選擇上下管的驅動電阻,太大會影響驅動功率,以及電源的整體效率,太小就會影響EMI以及會造成直通的可能,還有就是上下管的尖峰問題3、注意電路的layout,因為布線引起的分布電感(特別是大電流回路)會產生大量的尖峰,嚴重影響電路的EMI跟效率,嚴重時會導致下管的誤導通4.選擇合適的MOSFET,主要關注的是Qrr跟bodydiode的trr以上供你參考

冰版你好,

現在我在做一個60V100A輸出的電源,輸入是100V的。

現在懷疑是下管恢復時上下管直通的問題,發熱嚴重

能推介一款適合做此的管子嗎?


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