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【手拉手】MOS管的選取對效率、EMI影響有多大呢?

    最近在搞一款小功率電源,用的原本是 華微的管子,由于沒料,用威士的替代,最后效率能夠提升將近一個點,輻射也有所改善.

大家是不是遇見過這種情況呢?來探討一下嘍。

電源技術探討     群號:233403008

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amonson
LV.8
2
2012-06-19 23:20
一般來講,硬開關的方式,效率高則EMI差。你這個輻射變好了可能只是因為分布參數碰巧避開了更高的諧振頻率。。。
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2012-06-19 23:21
MOS管GS和DS兩端的結電容大小影響EMI和RFI,你可以比較一下它們結電容的大小。
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2012-06-19 23:58
@amonson
一般來講,硬開關的方式,效率高則EMI差。你這個輻射變好了可能只是因為分布參數碰巧避開了更高的諧振頻率。。。

amonson兄,您好!好久不見哦!最近做的是小功率的LED電源,感覺對于PF,EMI,效率要做折中選擇。否則,效率,PF值高,EMI裕量不足;如果EMI裕量足,PF,效率有所變低(相對來說)。

剛開始搞EMI兩星期,感覺這個東西很神秘。有時可以測試通過,有時不通過。同樣的機型,同樣的改法,有的能過,有的就不過。

因為是小功率電源,EMI整改,調整的元器件或者參數就不多,感覺不是很好整改。

amonson兄,有哪些經驗分享一下嘍。

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2012-06-20 00:01
@高等數學
MOS管GS和DS兩端的結電容大小影響EMI和RFI,你可以比較一下它們結電容的大小。

高數兄,您好!現在很少看見你來論壇哦,應該很忙哦。前段時間去應聘看到了你的一個女同學哈。

圓規正傳,對于你說的這個,我下去要查和測試一下這兩個管子的參數哦。

對于EMI整改有哪些措施呢?高數兄。

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amonson
LV.8
6
2012-06-20 00:13
@笨小孩1114
amonson兄,您好!好久不見哦!最近做的是小功率的LED電源,感覺對于PF,EMI,效率要做折中選擇。否則,效率,PF值高,EMI裕量不足;如果EMI裕量足,PF,效率有所變低(相對來說)。剛開始搞EMI兩星期,感覺這個東西很神秘。有時可以測試通過,有時不通過。同樣的機型,同樣的改法,有的能過,有的就不過。因為是小功率電源,EMI整改,調整的元器件或者參數就不多,感覺不是很好整改。amonson兄,有哪些經驗分享一下嘍。
APFC吧?這個東西就是玩折中,你有成本和體積的壓力,能改的東西不多,所以不要追求完美,平衡就好。樣機的差異最可能是磁性器件的差異,一般來說電感可能是-25%到45%之間的誤差,所以這個要注意,還有就是變壓器的工藝,如果是手工繞的可能一致性也要差一些。我現在搞EMI不過了就加濾波器件,只要體積不超不在乎成本的,所以我的搞法不一定適合你。。。
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2012-06-20 00:22
@amonson
APFC吧?這個東西就是玩折中,你有成本和體積的壓力,能改的東西不多,所以不要追求完美,平衡就好。樣機的差異最可能是磁性器件的差異,一般來說電感可能是-25%到45%之間的誤差,所以這個要注意,還有就是變壓器的工藝,如果是手工繞的可能一致性也要差一些。我現在搞EMI不過了就加濾波器件,只要體積不超不在乎成本的,所以我的搞法不一定適合你。。。

amonson兄,是單級PFC,英飛凌的TDA4862G,做的是12W電源。而且是低成本的,而且要求傳導和輻射都要求6dB的裕量以上。

最近整改的措施有以下幾點:

1、最重要的:調整變壓器的繞法,(個人認為堆疊繞法相對三明治繞法對EMI有改善,而且還需要外加屏蔽銅箔)

2、輔助VCC繞組的慢管改快管

3、增大MOS管的驅動電阻

4、MOS的DS級間并高壓低容量陶瓷電容等措施

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zvszcs
LV.12
8
2012-06-20 08:58
有很大的影響,頂起來,用了才知道
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2012-06-20 12:40
@zvszcs
有很大的影響,頂起來,用了才知道
Z叔遇見過這種情況嗎?現在的這個電源主要是功率較小。
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一者
LV.2
10
2012-11-21 20:26
@笨小孩1114
amonson兄,是單級PFC,英飛凌的TDA4862G,做的是12W電源。而且是低成本的,而且要求傳導和輻射都要求6dB的裕量以上。最近整改的措施有以下幾點:1、最重要的:調整變壓器的繞法,(個人認為堆疊繞法相對三明治繞法對EMI有改善,而且還需要外加屏蔽銅箔)2、輔助VCC繞組的慢管改快管3、增大MOS管的驅動電阻4、MOS的DS級間并高壓低容量陶瓷電容等措施

問下,你這些措施是增加效率的還是改善EMI的?我的理解是加驅動電阻是改善效率的,并DS兩端陶瓷電容有什么用?防止LC諧振?還是改善EMI?我現在遇到個情況,就是下面的取樣電阻電壓波形一開始有個很大的尖峰,現在換了MOS管就尖峰變得很小,那這個是結電容影響的嗎?我懷疑有兩個,一個是LC諧振了,另一個是結電容比較大,導通時結電容放電造成尖峰,我嘗試了在DS兩端并10nf的和160nf的電容,尖峰沒有什么變換,既沒有變小也沒有變大,我就無法理解了,求解惑。。。

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一者
LV.2
11
2012-11-21 20:41

并DS兩端陶瓷電容有什么用?防止LC諧振?還是改善EMI?我現在遇到個情況,就是下面的取樣電阻電壓波形一開始有個很大的尖峰,現在換了MOS管就尖峰變得很小,那這個是結電容影響的嗎?我懷疑有兩個,一個是LC諧振了,另一個是結電容比較大,導通時結電容放電造成尖峰,我嘗試了在DS兩端并10nf的和160nf的電容,尖峰沒有什么變換,既沒有變小也沒有變大,我就無法理解了,求解惑。。。

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