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前言近幾年，GaN FET因具有高頻、高效等特點(diǎn)，備受業(yè)界和學(xué)術(shù)界的關(guān)注，也是目前發(fā)展的熱點(diǎn)。目前GaN FET也得到了大量的應(yīng)用，主要集中在各種小功率電源方面，比如最常見的手機(jī)充電器、電腦適配器等應(yīng)

前言反激變換器的電源芯片分為兩類控制，即：原邊反饋控制器（Primary Side Regulator，PSR）；副邊反饋控制器（Secondary Side Regulator，SSR）。PSR技術(shù)

前言光伏逆變器經(jīng)過十多年的快速發(fā)展，功率從幾千瓦到幾百千瓦，電壓也達(dá)到了1500V，甚至也在向2000V邁進(jìn)，模塊常用的還是IGBT技術(shù)。隨著對(duì)功率、體積、效率的追求，SiC模塊也已經(jīng)開始商用，鑒于對(duì)

?前言硅材料的發(fā)展已接近物理極限，隨著學(xué)者和工程師們的不斷研究，相繼推出了第二代、第三代半導(dǎo)體材料。目前第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料開發(fā)的功率器件已規(guī)模商用，最具代表的為SiC和GaN，SiC在高壓大容量應(yīng)

前言GaN器件的商用為電力變換器技術(shù)具有重要的意義，目前650V GaN器件已廣泛使用在電源適配、充電器、通信電源等領(lǐng)域，由于具備低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)頻率，能有效地提高電源的功率密度和效率、減小其體積。

星球號(hào)的朋友大家好，2023年在這里更新的內(nèi)容十分有限，一方面因?yàn)槭虑樘酂o(wú)法兼顧，另一方面自身也需要充電。之前的分享主要是研究生階段的筆記，已畫上句號(hào)。近一段時(shí)間沒有在星球號(hào)更新更多的內(nèi)容，主要是在

感謝各位朋友的支持，喜歡的朋友多多“一鍵三連”哈，關(guān)注不迷路。轉(zhuǎn)眼間，參與電源網(wǎng)電子星球原創(chuàng)內(nèi)容創(chuàng)作計(jì)劃第四年了，創(chuàng)作了近百篇文章，主要包括LLC變換器、逆變器和DAB變換器的原理、仿真及設(shè)計(jì)等。今天

感謝平臺(tái)和各位朋友的支持，過去的2022年由于個(gè)人原因星球號(hào)和公眾號(hào)停更了大半年，23年將重新起航，爭(zhēng)取保證更新進(jìn)度。小編所更新內(nèi)容均為原創(chuàng)，記錄技術(shù)成長(zhǎng)路上點(diǎn)滴。由于水平有限，難免有不足之處，請(qǐng)多包

LLC諧振變換器具有軟開關(guān)、易于磁集成、高密度、低EMI和高效率等優(yōu)勢(shì)，已在工業(yè)界得到了廣泛的應(yīng)用。這里分享一個(gè)常用的PFC+LLC級(jí)聯(lián)式電源方案，原理框圖如圖1所示。市電（185～240V）輸入，由

感謝朋友的關(guān)注和支持！感謝各位朋友能關(guān)注、轉(zhuǎn)發(fā)和一鍵三連。考慮篇幅限制，本次內(nèi)容分為3部分。 （1） 絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)原理介紹及部分術(shù)語(yǔ)定義； （2）IGBT雙脈