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內(nèi)容簡介:

《IGBT器件——物理、設(shè)計與應(yīng)用》從IGBT發(fā)明開始，介紹了IGBT的模型和基本工作原理、各種元胞結(jié)構(gòu)、設(shè)計與制造工藝、封裝與驅(qū)動、安全工作區(qū)等，并給出了在多達(dá)十幾個行業(yè)中的具體應(yīng)用，包括應(yīng)用電路和參數(shù)指標(biāo)等。本書內(nèi)容深入淺出，適合電力電子、微電子、功率器件、功率IC設(shè)計與制造領(lǐng)域的研究人員、技術(shù)人員閱讀，也可作為高等院校相關(guān)專業(yè)本科生和研究生的參考書。

作者簡介:

B.Jayant Baliga博士，北卡羅來納州立大學(xué)“杰出大學(xué)教授”，美國國家工程院院士，IEEE會士。Baliga教授是國際公認(rèn)的功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家，發(fā)表了500多篇學(xué)術(shù)文章，擁有120項美國專利。他在IGBT概念、發(fā)展和商業(yè)化方面的工作得到了美國奧巴馬總統(tǒng)的認(rèn)可，獲得了2011年美國國家技術(shù)創(chuàng)新獎?wù)隆@是美國政府授予工程師的高榮譽(yù)，以及2014年IEEE榮譽(yù)勛章——電氣工程領(lǐng)域的高榮譽(yù)。

目錄:

譯者序 
原書序 
原書前言 
作者簡介 
第1章 緒論 
1.1 IGBT應(yīng)用范圍 
1.2 基本的IGBT器件結(jié)構(gòu) 
1.3 IGBT發(fā)展和商業(yè)化歷史 
1.4 功率等級的擴(kuò)展 
第2章 IGBT的結(jié)構(gòu)和工作模式 
2.1 對稱的D-MOS結(jié)構(gòu) 
2.2 非對稱的D-MOS結(jié)構(gòu) 
2.3 溝槽柵IGBT結(jié)構(gòu) 
2.4 透明集電極IGBT結(jié)構(gòu) 
2.5 新穎的IGBT結(jié)構(gòu) 
2.6 橫向IGBT結(jié)構(gòu) 
2.7 互補(bǔ)的IGBT結(jié)構(gòu) 
第3章 IGBT結(jié)構(gòu)設(shè)計 
3.1 閾值電壓 
3.2 對稱結(jié)構(gòu)IGBT 
3.2.1 阻斷電壓 
3.2.2 開態(tài)特性 
3.2.3 積累電荷 
3.2.4 關(guān)斷波形 
3.2.5 關(guān)斷損耗 
3.2.6 能量損耗折中曲線 
3.3 非對稱結(jié)構(gòu)IGBT 
3.3.1 阻斷電壓 
3.3.2 開態(tài)特性 
3.3.3 積累電荷 
3.3.4 關(guān)斷波形 
3.3.5 關(guān)斷損耗 
3.3.6 能量損耗折中曲線 
3.4 透明集電極IGBT 
3.4.1 阻斷電壓 
3.4.2 開態(tài)特性 
3.4.3 積累電荷 
3.4.4 關(guān)斷波形 
3.4.5 關(guān)斷損耗 
3.4.6 能量損耗折中曲線 
3.5 SiC IGBT 
3.5.1 N型非對稱SiC IGBT 
3.5.2 阻斷電壓 
3.5.3 導(dǎo)通電壓降 
3.5.4 關(guān)斷特性 
3.5.5 關(guān)斷損耗 
3.6 優(yōu)化非對稱結(jié)構(gòu)SiC IGBT結(jié)構(gòu) 
3.6.1 優(yōu)化結(jié)構(gòu)設(shè)計 
3.6.2 導(dǎo)通電壓降 
3.6.3 關(guān)斷特性 
3.6.4 能量損耗折中曲線 
3.6.5 最大工作頻率 
第4章 安全工作區(qū)設(shè)計 
4.1 寄生晶閘管 
4.2 抑制寄生晶閘管 
4.2.1 深P+擴(kuò)散 
4.2.2 減小柵氧化層厚度 
4.2.3 空穴電流分流結(jié)構(gòu) 
4.2.4 器件元胞拓?fù)?nbsp;
4.2.5 抑制閂鎖器件結(jié)構(gòu) 
4.3 安全工作區(qū) 
4.3.1 正偏SOA 
4.3.2 反偏SOA 
4.3.3 短路SOA 
4.4 新型硅器件結(jié)構(gòu) 
4.5 碳化硅器件 
第5章 芯片設(shè)計?保護(hù)和制造 
5.1 有源區(qū) 
5.2 柵極壓焊塊設(shè)計 
5.3 邊界終端設(shè)計 
5.4 集成傳感器 
5.4.1 過電流保護(hù) 
5.4.2 過電壓保護(hù) 
5.4.3 過溫保護(hù) 
5.5 平面柵器件制造工藝 
5.6 溝槽柵器件制造工藝 
5.7 壽命控制 
第6章 封裝和模塊設(shè)計 
6.1 分立器件的封裝 
6.2 改進(jìn)的分立器件封裝 
6.3 基本的功率模塊 
6.4 扁平封裝的功率模塊 
6.5 無金屬基板的功率模塊 
6.6 智能功率模塊 
6.6.1 雙列直插型封裝 
6.6.2 智能功率單元 
6.7 可靠性 
第7章 門驅(qū)動電路設(shè)計 
7.1 基本的門驅(qū)動 
7.2 非對稱的門驅(qū)動 
7.3 兩級門驅(qū)動 
7.4 有源柵電壓控制 
7.5 可變的柵電阻驅(qū)動 
7.6 數(shù)字的門驅(qū)動 
第8章 IGBT模型 
8.1 基于物理機(jī)制的電路模型 
8.1.1 SABER NPT-IGBT電路模型 
8.1.2 SABER PT-IGBT電路模型 
8.1.3 SABER IGBT電熱模型 
8.1.4 SABER IGBT1模型 
8.2 IGBT模擬行為模型 
8.3 模型參數(shù)提取 
第9章 IGBT應(yīng)用：運(yùn)輸 
9.1 汽油驅(qū)動的汽車 
9.1.1 凱特林機(jī)械點(diǎn)火系統(tǒng) 
9.1.2 電子點(diǎn)火系統(tǒng) 
9.1.3 點(diǎn)火IGBT設(shè)計 
9.1.4 雙電壓鉗位的點(diǎn)火IGBT設(shè)計 
9.1.5 智能點(diǎn)火IGBT設(shè)計 
9.1.6 點(diǎn)火IGBT產(chǎn)品 
9.2 電動和混合動力電動汽車 
9.2.1 電動汽車逆變器設(shè)計 
9.2.2 電動汽車IGBT芯片設(shè)計 
9.2.3 電動汽車再生制動 
9.3 電動汽車充電站 
9.3.1 電動汽車充電要求 
9.3.2 電動汽車充電電路 
9.4 電動公共汽車