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悲哀啊,這么基本的問題居然沒人知道!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!

我再頂

自己頂一下,繼續求答案

厲害!看了您回貼,我特意對比了幾個MOSFET和IGBT的規格書.發現MOSFET的輸出電容Coss確實比IGBT要大許多,因此硬開關時,MOSFET開通損耗應該比較大,而關斷時由于對Coss充電比較慢,損耗會小很多.但是IGBT規格書上標明的開通損耗確反比關斷損耗要大,比如infineon的SKW15N120和IKW40N120T2.[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/69/126481221959742.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">請高手解惑,謝謝!

一個PFC+DCDC的電源系統,想測DCDC部分的效率DCDC的輸入電流(也就是PFC電容的輸出電流)用萬用表測量,所以比較關心測得的是有效值還是平均值.另外將PFC電壓與測得的電流值相乘作為DCDC的輸入功率,不知這種測法是否準確?很感謝大家熱心解答,不管懂不懂,都可以發表自己的見解.在這里發問的人都希望能將疑問弄清楚,而不是看到冷嘲熱諷,有可能我誤解了冒號兄回貼的意思,如果這樣的話我向你道歉,希望你繼續頂帖

很可笑嗎??請注意有效值只是方均根值,DC電壓怎么就沒有效值和平均值之分了?不懂就不要亂說!!

自己先頂一下

好人啦,謝謝,頂了再下

好像DCM模式下電路模型為一階單極點模型,穩定性較好,而CCM模式下為二階雙極點模型容易振蕩吧?

被樓主的精神感動,不得不下,不得不頂!非常感謝!!!