王鑫2006：
我的最新方案:驅(qū)動電源是以大功率的MOSFET管IRF1503為核心,LDA作為負載串聯(lián)在MOSFET的漏極D上,通過控制MOSFET管的柵極來實現(xiàn)對流過LDA電流的控制.但MOSFET是非線性器件,難以直接控制,因此必須將其轉(zhuǎn)化為線性控制.在MOSFET管的漏極D串聯(lián)一個0.005Ω的電阻R6,用于采樣反饋控制,由于R6很小,為了減小引線電阻對R6采樣精度的影響,選用ISOTEK公司的PBV型電阻,其電流輸入引腳和電壓輸出引腳是獨立的.MOSFET管的電流變化范圍是0—50A,輸入控制信號的電壓范圍是0—5V,將采樣電阻的電壓經(jīng)過LM358(U1B)放大20倍正好與輸入電壓匹配.這樣控制電壓0—5V與流經(jīng)LDA的0—50A連續(xù)可調(diào)的穩(wěn)流源建立起線性對應(yīng)關(guān)系,以適應(yīng)不同規(guī)格的半導體激光器陣列的運行需要.整個反饋是開環(huán)系統(tǒng),十分容易產(chǎn)生自激,因此用一個濾波電容C破壞自激產(chǎn)生的條件,消除自激.MOSFET管受LM358(U1A)的控制,工作在開關(guān)狀態(tài),為了使流過LDA的電流穩(wěn)定,我們選用適量的電感L來平穩(wěn)電流.為了保證帶電阻———電感負載的MOSFET安全工作,必須消除負載電感L中的自感電動勢擊穿MOSFET的可能性,為此在LDA、R6和L串聯(lián)而成的負載兩端并聯(lián)一個續(xù)流二極管D1.MOSFET管關(guān)斷時,電感中的感應(yīng)電動勢eL使二極管D1正向?qū)?給負載提供一個續(xù)流回路,同時將晶體管的集電極電壓鉗位于Vdd,從而避免工作點進入擊穿區(qū).為了提高D1的關(guān)斷速度,減小其反相恢復電流對MOSFET的影響,選用快速恢復二極管MUR610.圖3.驅(qū)動電源主電路圖