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想法是死區時間由ＲＣ來調整。有兩個擔心的地方1.ＲＣ充電時，三極管是先進入放大狀態，再到飽合，由放大進入飽合的這個時間會多長，因為這階段給ＭＯＳ管的充電電流不會很大，會造成開啟慢2.短路保護時，三極管要退出飽合狀態，這個時間又會不會太長，太慢的話，就起不到保護的作用了

想法是通過ＲＣ控制三極管延時開，三極管一打開，ＭＯＳ管柵極充電電流就大了，理論上不會增加開通損耗的，不過ＲＣ的取值可能就一定要取好了。好在輸入電壓變化不大，對ＲＣ充電時間影響不是很大。己經畫板發出打樣了，先實驗看再說。也不懂仿真什么，只能自己做版實驗了。真心感謝兩位的回復，發個貼，有人看，沒人回，好傷心。另外，想問一下，死區時間設定在多少合適了。頻率50Ｋ或100Ｋ，死區時間設為多少ＮＳ好了？有從大俠能給個指導性時間嗎？

還是沒人回復啊，看來沒有人弄這個方案啊。不管了，自己畫板，試驗一下。也順便頂下，看后面有沒人看到指正

書上有用嗎?全部都抄來抄去的,要不就是用很大的磁芯來做例子,都暈死了....

電容接通瞬間相當于短路,兩端電壓不能產生突變,這可是常識啊.....電源輸入加個熱敏電阻就是因為這個

這個電路短路速度夠快嗎?經一510歐,22UF電容RC濾波,這個時間不會太大嗎?還有15,16腳的放大器都沒有加反饋的,保護時不會產生振蕩嗎?

自己頂一下,期盼著高手幫忙啊..

自冷還是風冷了,做到1.2-1.5KW頻率要到多少了

過大會啟到相反的效果...如果有輔助電源的話,驅動最好是采用橋式,不要用推挽式,這樣就不可能出現同時導通了.且R8跟R7根本就沒有必要要它..它們是個啟動電阻,由自激啟動轉換成它激