sinking：
電磁屏蔽技術(shù)的分析研究http://www.embeded.cn/article/print.asp?unid=65623.1.2屏蔽對策屏蔽此類干擾,建議選用具有高導(dǎo)磁率的鐵磁材料做成屏蔽殼體,將干擾源屏蔽起來,這樣能使干擾源產(chǎn)生的磁通被引導(dǎo)至鐵磁材料中,從而不與被干擾的電路交連.同理,也可將被干擾的電路屏蔽起來.有關(guān)屏蔽殼體的制作,應(yīng)注意下列事項:所選用材料磁路的磁阻Rm越小越好Rm＝L/μS(L為磁路長度;S為磁路橫切面積;μ為導(dǎo)磁率).從上式可知:選用μ值高的鐵、硅鋼片、坡莫合金等;在屏蔽殼體設(shè)計時,應(yīng)使殼體有足夠的厚度以增大S,達到增加屏蔽效果的目的;在垂直于磁通方向不能開口,以免增大磁阻;為了更好地提高屏蔽效果,有時采用多層屏蔽,在安裝時要注意將屏蔽殼體擰緊.3.2高頻磁場屏蔽3.2.1理論分析頻率在100kHz以上高頻磁場的屏蔽原理是利用電磁感應(yīng)現(xiàn)象在屏蔽殼體表面所產(chǎn)生的渦流的反磁場來達到目的.上述鐵磁材料在高頻情況下,其磁性損耗太大,不利于在屏蔽殼體上形成盡量大的渦流,達不到有效消除高頻磁場干擾的目的.圖3為一個良導(dǎo)體制成的屏蔽殼體對一個電子線路的屏蔽等效電路圖.圖3 電子電路屏蔽等效示意圖圖3中,L為電子電路的電感;M為電子電路與屏蔽殼體的互感;Ls為屏蔽殼體的電感;I為電子電路的電流;Rs為屏蔽殼體的電阻.從而可得出屏蔽殼體上形成的渦流為:Is=jωMI/(Rs+jωLs) (4)當頻率高時,ωLs>>Rs,此時Rs可忽略不計,則式(4)可簡化為Is≈MI/Ls (5)當頻率低時,ωLs