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樓主是不是華科的看到你在白云上問了同樣的問題

說反了一個積分環節是I一個積分環節加上一個微分環節是PI一個積分環節加上兩個微分環節是PID至于動態響應,主要和系統的帶寬相關.PID的動態響應快主要是他的兩個零點更好的補償了系統的相位滯后使系統的帶寬增加

又測了一下次級的測量有問題,樓上的計算是對的.

沒有什么效果電感量增大的同時漏感也增大了

請問有沒有詳細的變壓器和電感屏蔽的資料?謝謝

初級匝數增加,磁芯的deltaB就減小,可以是磁芯的工作區域H-B線性度更好,但是磁芯的利用率不是很低么?在10匝的時候,deltaB計算為+-0.2T增加到22匝,deltaB連+-0.1T都不到.還有就是增加初級電感量對減少關斷震蕩有什么幫助?

沒有加MOSFET關斷緩沖電路,只反并聯了個二極管

我算了一下,EC55的AL(nH/N2)值在4000左右18匝,那么L=4000nH*18*18=1.296mH和測量結果基本一致

請問如何仿真MOSFET關斷時的初級震蕩?

RC吸收電路加在變壓器初級電路上是有的,為了降低關斷速度,去掉了實測加不加放電二極管對關斷速度影響不是太大