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詳見我在百度空間的文章：http://hi.baidu.com/mastergan/item/4d1f32cabc19f007c610b219Level：需要設(shè)置的正弦波輸出振幅，影響OutRef的曲線和Out的值。MaxValue：是正弦波的分辨率影響的最大PWM設(shè)置值。PointCount：每1/4周期內(nèi)的點數(shù)。PointNumber：一個周期內(nèi)的點的順序號。Degree：每個點的角度。一個周期是2pi().SineValue：每個點的參考sine函數(shù)值。FullSine：根據(jù)最大PWM值計算的各個點的最大振幅，含1/10死區(qū)計算。OutRef：根據(jù)Level計算的各個點對應(yīng)的振幅，其計算公式的分母是最大輸出Level，上傳的例子是255。Result：各個點最大振幅的絕對值，含1/10死區(qū)計算。Output：根據(jù)Level計算的各個點對應(yīng)振幅的絕對值。Char：各個點的最大振幅的絕對值組成的數(shù)組。

對于多字節(jié)數(shù)據(jù)類型的存儲一般是低字節(jié)在前的。改成下面的試試？unionu{         //定義一個共用體類型 uintword; struct{ucharlo;ucharhi;}bytes;};//嵌套定義一個結(jié)構(gòu)類型變量

那個MOSFET是為了關(guān)斷SCR的

提高母線電壓并不一定能提高效率：整流二極管的恢復(fù)時間增加導(dǎo)致開關(guān)損壞增加；另外更多的電壓加在輸出濾波電感上，需要增加電感匝數(shù)提高電感量來應(yīng)對，從而導(dǎo)致電感損耗的增加。推挽電路次級整流管的應(yīng)力是輸出電壓的兩倍，也就是說你要600V的電壓就要耐壓1200V以上的整流管，這對材料的選擇也是不利的。

不好意思，是電壓平方差，已經(jīng)改過來了

以效率100％計算：能量W=4*200=800J,根據(jù)電容能量W=(C*V*V)/2,則C=800*2/(2.5*2.5-1.2*1.2)=330F實際可能需要兩級變換，再加上余量，電容量要翻倍，也就是說需要660法拉左右的電容

乖乖，初級電流是梯形波，功耗要大1.414倍。電解電容也是功耗的大頭。估計他的效率是這樣算的：效率＝(Iin×Vin)/(Io×Vo)

你的原理圖有缺陷,推挽電路MOSFET的驅(qū)動電壓只有5V,可以修改電路改為12V,這樣MOSFET的發(fā)熱會減少很多.

散熱器這么小,開不了幾分鐘就會很燙的啦

怎么都是沒有聽說過的品牌?美國APC的中小機型在中國做得最不錯梅蘭日蘭的大中型機型也做得不錯,其它GE(原IMV),POWERWARE(原愛克賽)等也算是老名牌國產(chǎn)品牌愛默生的立波特是最好的其它像臺達(dá)、科華和科士達(dá)等是比較大的品牌,但性能一般這兩年進來很多進口的"雜牌"...