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IGBT突波吸收電容雙面金屬化膜內(nèi)串結(jié)構(gòu)、特別的內(nèi)部設(shè)計(jì)和端面噴金技術(shù)，使電容具低感抗，多條引線(xiàn)設(shè)計(jì)，可承受更高紋波電流，高du/dv以及高過(guò)壓能力。用于各類(lèi)IGBT緩沖線(xiàn)路突波吸收，各類(lèi)高頻諧振線(xiàn)路材料特性電容結(jié)構(gòu):雙層金屬化膜，內(nèi)部串聯(lián)結(jié)構(gòu)封裝:阻燃塑膠外殼，環(huán)氧樹(shù)脂封裝，符合(UL94V-0)標(biāo)準(zhǔn).尺寸:適合于各種IGBT保護(hù)。(可按客戶(hù)需求定制特殊規(guī)格)電氣特性電容量:0.0047to6.8μF,參考表格數(shù)據(jù)額定電壓:700to3000Vdc損耗角正切:測(cè)試條件1000±20Hz，25±5℃. Cr≤1.0μF，4×10-4；Cr>1.0μF，6×10-4絕緣電阻:3000s，s=MΩ.μF測(cè)試條件1minute，100Vdc(25±5℃)耐電壓:2Ur(DC)測(cè)試條件10s，t25±5℃，1Min工作溫度:-40~+85℃以上產(chǎn)品全新原裝進(jìn)口，有現(xiàn)貨，直接代理商，有價(jià)格優(yōu)勢(shì)