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多謝指點.我現(xiàn)在用的Drive是Microchip的TC4420.這個驅(qū)動我的MOSFET我計算過.沒有問題,上升時間與下降時間都很快.分別是210ns和300ns左右.pwm的頻率是3k.現(xiàn)在的問題是MOSFET很容易燒毀,我想應(yīng)該是沒有加吸收回路引起的,閣下是否知道如何計算RCD或RC吸收回的值,多謝謝!

你是對的.應(yīng)該要加上RCD吸收電路,這樣MOSFET在關(guān)斷的時候沒有過高的電壓沖擊MOSFET,MOSFET也不會容易壞,關(guān)鍵是這個RCD吸收的值如何計算?如果R功率太大的話,就很困難了.因為結(jié)構(gòu)限制.

現(xiàn)在問題還是沒有得到很好的解決.下步不知道如何做．

我現(xiàn)在用的drive是Microchip公司的TC4420它的最大輸出電流是:6A,我算了一下,驅(qū)動還可以.上升沿時間為:210ns,下降沿時間是:230ns.

我現(xiàn)在下橋的開關(guān)頻率是:3K

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沒有示波器.那你說怎么搞呢?專有理念計算還是不夠的.但理念要懂也是主要的/

沒有什么好驚訝的.你現(xiàn)在在市場上買的晶休管都是這樣的過程生產(chǎn)過來的.晶園就是IC廠家做出來的.然后再經(jīng)過劃片然后再將其劃下的晶片貼片一個母片上,再用邦定機把線引出來再用固體材料如AB膠把它封起來就成了.我們現(xiàn)在做只是少了廠家給我休的后幾部而已.沒有什么啊.我們自己做價格要比生產(chǎn)廠家便宜得多啊!如果你有電機控制方面的東西,請你介紹一下我上面的問題有什么好的辦法來解決呢?

謝謝指點.我現(xiàn)在選用的MOSFET是IRLC3713,買來的是晶園,然后劃片后再用邦定機自己邦定的.從這個MOSFET的數(shù)據(jù)手冊上看它Vgs=10@3mΩ,再加上邦定線就4mΩ,但,就算是400A的電流其它功率:Pmosfet=I*I*R=400*400*(0.004/6)        =106W但我這個散熱器是:可以做145W的,而且我現(xiàn)在的電流也只是100A,所以就在20S就這么高的溫度是不是有其它問題.謝謝

我采用的是TLP250做的驅(qū)動.TLP的驅(qū)動電流為1.5A,但我在每個MOSFET的G極都串有8.2Ω的電阻.從Vgs的電壓波形來看都很好.上升沿時間為0.6us,下降沿時間為:1us,MOSFET的驅(qū)動能力上,我計算過是可以驅(qū)動的,電流也能夠達到要求.MOSFET的Vgs電壓都在12V以上.不知道是否還有其它原因.