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不知道你的變壓器的參數(shù),還有用什么mos，單從波形看1.Risetime太短只有約0.4ms,應該是Sense電阻偏小        2.輸出起來后，占空比很大，應該是匝比N偏大。

公式的由來[圖片]flybacklp計算 

Lp=(Vmin*Dmax)^2/(2*Fs*Pin*K), K紋波系數(shù)，一般取0.2~0.5.

如果你的設計是在90V輸入，工作在dcm模式，那你的計算沒問題。但大多數(shù)這么寬輸入電壓范圍的電源設計是低壓ccm,高壓dcm,在ccm模式，vin*ton=n*Ae*B將不成立，應該用Ip*Lp=n*Ae*B. Ip峰值電流。

還有Mosfet關斷的交越時間為什么是QGD/Ip_pk?

今天有空拜讀了ZVSZCS版的大作受益非淺，以個人理解作了一些注解，也有一些疑問，作了標注，望ZVSZCS版主不吝賜教，也歡迎大家參與討論，畢竟真理越辯越明。[圖片]開關電源的設計及計算(2) [圖片] 

上述解釋沒錯,但忽略了一方面。比如RC用作輸出二極管的吸收,當二極管關斷后,反向電壓Vr通過R把C充至Vr,此過程中R消耗Vr^2*C/2能量，C貯存Vr^2*C/2能量,二極管導通后，C中的能量通過R釋放掉，也消耗Vr^2*C/2能量，一個周期消耗Vr^2*C的能量。功率損耗Vr^2*C*Fs.與電容C成正比

Vin+Vor+Ipeak*sqrt(Lleak/C) sqrt()開方，IpeakMOS管峰值電流，Lleak變壓器漏感，CMos管DS間電容+變壓器一次側匝間電容+snubber電容

12V輸出電感是什么磁芯？如果是高磁通，可以換鐵硅鋁試試，高磁通在大動態(tài)時易嘯叫。

是不是可以這樣理解大功率的電源，一次側電流很大,漏感引起的磁感應強度變化，B=I*Llik/nAe,就大，加氣隙是為了減小漏感Llik.