xiongls：
看了一上午的書(shū),我自己總結(jié)一下吧,不對(duì)的地方多多指教.首先FET分為JFET和MOSFET,也就是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管,二者對(duì)電壓控制電壓的實(shí)現(xiàn)方法不一樣,但結(jié)果都是用GS電壓去控制DS電流.而且都分為三個(gè)區(qū)域,可變電阻區(qū)恒流區(qū)和擊穿區(qū).以N-MOSFET增強(qiáng)型分析,不管其用與放大還是開(kāi)關(guān)都是工作在恒流區(qū)(在開(kāi)關(guān)電源我只用到其做開(kāi)關(guān)用的,沒(méi)玩過(guò)模擬,所以具體的信號(hào)放大電路沒(méi)用過(guò)),在恒流區(qū),IDS跟VDS無(wú)關(guān),只由VGS決定.以2N7000為列(下圖),開(kāi)啟電壓為2.1V,由輸出特性圖上可看到IDS的最大值是和VGS有關(guān)系的,但是當(dāng)VGS大于10V時(shí),IDS達(dá)到其最大值,此時(shí)再增加VGS已沒(méi)意義.而在VGS從3V-10V變化時(shí)IDS的最大值(對(duì)應(yīng)于RDS的最小值)是跟VGS密切相關(guān)的.這就是為什么用做N-MOS用最開(kāi)關(guān)管時(shí)一般驅(qū)動(dòng)電壓都會(huì)大于10V的原因.回到用在運(yùn)放恒流上的問(wèn)題(第一貼),我覺(jué)的這要分兩個(gè)方面來(lái)考慮:1、VGS》VT(開(kāi)啟電壓)且VGD=VGS-VDS《VT及VDS〈VGS+VT時(shí),FET工作在可變電阻區(qū),在這個(gè)區(qū)域內(nèi)通過(guò)改變VGS的值來(lái)改變斜線(xiàn)的斜率也就是DS之間的電阻,從而改變輸出電流IDS,達(dá)到恒流目的.2、VDS〉VGS+VT時(shí),工作在恒流區(qū),而此時(shí)VGS〈10V,IDS由VGS的值控制,改變VGS就改變了可輸出的最大電流,達(dá)到恒流目的.[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/83/2946501258179457.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">以上!謝謝……