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IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),絕緣柵雙級型晶體管,實質是一個場效應晶體管.三個級分別稱為:E(發射極),C(集電極),G(柵極).MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorFiedEffectionTransistor),三個級分別稱為:D(漏極),S(源極),G(柵極).

先貼一個框圖上去.[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/28/1114593358.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">

那是SIMULINK仿真圖.原理圖用MATLAB畫不合適,等我用PSPICE畫好就貼出來.其實二者是一致的,只是MATLAB側重與控制系統的分析,看上去類似于自控里的傳遞函數框圖.

在一個周期T內,導通時的脈寬為t,則占空比d=t/T,它是一個變化的數值,在0-1之間.

IGBT通常用在大功率場合,而MOSFET用在中小功率場合.另外,IGBT的通態壓降比MOSFET的小

我也是初學,請諸位同仁不吝指正.電路指標:DC380V輸入,開關頻率50K,輸出220V正弦(50HZ),載波采用三角波(50K,幅值15V).負載電阻60歐姆,濾波電容25微法,濾波電感0.5毫亨.單級性SPWM信號在PWM模塊中(藍色),反饋采用電壓瞬時值反饋策略.電壓波形還行,但濾波電感紋波較大,不理想,有待改進.1114574275.mdl

曾經用MATLAB仿真(帶電壓瞬時值反饋),通過.你要是認為這個仿真有幫助的話,我可以把仿真圖發上來

SG3525即可,雖然它的給定為2.5V,但是可以通過調節采樣電路(最簡單的就是電阻分壓)來和2.5V匹配.

檢查反饋回路是否正常工作,能夠調壓.

所謂“反激”是指在開關管導通時,能量儲存在變壓器原邊電感中,當且僅當開關管關斷時,才將變壓器原邊所儲存的磁能傳遞到副邊電感,再由它傳至負載.可以參考一些電力電子方面的書籍,一般都有這種反激電路的詳細分析.