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“雙Y三閉環(huán)”和“天才之環(huán)”說明(20200609) 一、“雙Y三閉環(huán)” 所謂的“雙Y三閉環(huán)”的內(nèi)容其實很簡單。就是我們一般的Y1是跨接初級大電容的地和次級大電容的地，增加一個Y2跨接初級大電容正極和次級大電容正級。這就形成了典型的“雙Y三閉環(huán)”。如下圖所示：[圖片] (此圖有些錯誤，只當(dāng)參考)三閉環(huán)指的是：輸入到初級大電容為第一個環(huán)。初級大電容和次級大電容，再加上兩個Y，組成第二個環(huán)。第三個環(huán)就是次級大電容和負(fù)載組成的。 “雙Y三閉環(huán)”的優(yōu)點：前提：Y的放置的位置是有講究的。一、從抑制EMI干擾能力上比較，雙Y的抑制干擾大大于單Y。只能用無與倫比來形容。二、由于抑制EMI能力無與倫比，所以雙Y的Y的總?cè)萘渴强梢源蟠鬁p少的。兩個470PF的雙Y的抑制能力大于單個2200PF的Y。這個特點：可以讓電源體積可以做得更小，安全性做得更高。三、其實“雙Y三閉環(huán)”是針對四層板的優(yōu)點所進(jìn)行的改進(jìn)。讓單層板有跟四層板差不多的EMI抑制能力。公開這技術(shù)的目的：獨樂樂，不如眾樂樂。用它來致敬一下我的偶像：尼古拉，特斯拉（NikolaTesla）。沒有他，現(xiàn)在連用交流電，都還得交專利費。 根據(jù)以上分析。其實上，就可以推論得到四Y三閉環(huán)電路。這種電路無論你布板布得多爛，輻射基本都可以過。其實可以推廣至無限個Y的三閉環(huán)電路。 從這個電路上看，就知道雙Y是它的簡化版。單Y就是最簡化版了。（根據(jù)從GB4943.1-2011版里第44頁，關(guān)于測量Y電容限流值的方法。）在每個Y中，串聯(lián)一個2K歐的無感電阻器。然后讀出每個電阻器上的峰值電壓值。按從大到小排列。單Y時，就取最大值的那個Y。（簡化成單Y電路了）雙Y時，就取最大的兩個值的Y電容。（簡化成雙Y三閉環(huán)電路了） 補充：雙Y，其實還有大小Y的情況沒研究。有空再研究吧。 二、“天才之環(huán)” 認(rèn)真觀察“雙Y三閉環(huán)”的EMC簡圖。其實我們很容易得到布局布線的經(jīng)驗：布局最重要的就是PCB的最外環(huán)要布成交流地（而且最好形成閉環(huán)）。也就是交流電位要為零。試問最外環(huán)都是交流地了，信號還能輻射出來？整個PCB相對外面來說就是地。那么它就不會輻射信號出來了。 這個是EMC布線的一個重要的原則。以這個思想為指導(dǎo)，就很容易得到“天才之環(huán)”了。理想的開關(guān)電源的EMC狀態(tài)是怎樣的呢？它無任何輻射。你只能掃到背景噪聲。做得跟線性電源一樣。而有全金屬封閉的外殼的（金屬壁里還得有貼吸波材料），比較容易做到。就像那EMI濾波器帶全封閉金屬外殼的一樣。只不過PCB板換成了電源板了。這種容易做到。而無金屬封閉外殼的，它就難以做到了。而我在雙Y三閉環(huán)的思想衍生下，我發(fā)現(xiàn)了“圍污”技術(shù)。就是用地（交流地）把污染源圍起來。這個技術(shù)連無Y都可以用。圍污是第一環(huán)，而雙Y三閉環(huán)是第二環(huán)圍污。它可以做到那種理想的開關(guān)電源的EMC狀態(tài)——無任何輻射。就跟線性電源一樣。“圍污”技術(shù)的關(guān)鍵點是：1、要找對污染源。（基礎(chǔ)：要經(jīng)過黃敏超博士的電磁兼容理論設(shè)計與整改實踐的培訓(xùn)）2、圍起的地（交流地）導(dǎo)體要盡量靠近污染源。（有安全距離的要求）因為通常污染源都是高電壓，大電流的銅萡。比如（最簡單的反激來說）MOS管的D極，還有輸出管的正極（整流管放置在高壓）。試問最外環(huán)都是交流地了，信號還能輻射出來？整個PCB相對外面來說就是地。那么它就不會輻射信號出來了。其實雙Y三閉環(huán)和“圍污”技術(shù)，都是基于這個思想的。 任何為了降低EMC的輻射而圍成的交流通路環(huán)都稱為“天才之環(huán)”。它的另一個名字叫做“圍污環(huán)”。就是把污染源圍起來，防止它輻射出來。它實際上是一種增加有利于抑制EMI干擾的分布電容的方法。效果等同于用電容接地濾波。