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哪能喊我高手...別人會笑的,咱互相學習.    R117太小的話,MOS電流,流過R117產生的電壓太小,無法使V115G級導通,所以需要很大的電流,過流保護不起作用,結果就成你那樣了.    建議你R117取個合理的值,太大的話效率會低的.    可以把R112(V115G級限流電流)換小,但必須比R117大10倍以上,好配合R117調試.R114200R左右試試也能起作用.    圖好模糊...不知道有沒有看錯.  最后謝謝您的加分.

可以附上你圖片的值嗎?你那感覺上是過流不保護,而導致MOS電流達到雪崩程度,引起頻率變化.  線路看上去沒問題  圖比較模糊  我簡單的分析了一下    1R117電流感應電阻可能取值太小  導致它右邊的那電阻上的電壓太低無法啟動V115拉低MOSG級電壓  2初級光耦限流電阻取值過大,不起保護作用.  3光耦下面的延時電容取值過大,使三極管不能工作.  個人見解,有什么毛病請過路高手指點!

你有測試下變壓器的溫度么?是不是一下就很燙?  看下圖象是變壓器飽和磁化電流很大,導致電流檢測電阻電流猛升.

如果PCB和變壓器設計不合理,又不加Y電容,EMI差那是相當的嚴重!

....當然是AC90V

沒有用,Y電容是針對EMI的,對你那些低頻的沒用.

后面有中文說明,  是輸入電壓,算90V的  低壓電流大

這位大哥,在哪做啊?    貌似這些問題挺初級的.  FUSE個人經驗取值參考:1.  Pin=Pout/Eff  2.  Vacmin=INPUTVOLTAGE    取(AC電流值)Iac*2---3倍值為FUSE值比較合適.舉例:ACin=90V—264V  Pout=60W        Iac=(Pout/Eff)/Vacmin/PF=(60/0.8)/90/0.55=75/90/0.55=1.5A*2=3A取2.5A-3A/250V  輸入電流平均值=輸出功率/(效率*VS),因為輸出功率除以效率就是輸入功率,然后輸入功率再除以輸入電壓就是輸入電流,這個就是平均值電流.  Ipk=2*Pout/(Vsmin*Dmax)  Vsmin為高壓電容最小DC  MOS及肖特基為電流的3-5倍.視溫度與效率決定,盡量選小內阻的.      有錯的地方,請高手不吝賜教!

這位兄弟,非常感謝你幫我找到這資料,我之前有,后來不知道放那里了,網上找的都是缺頁的!  再次感謝!

能告訴我BCD的AP3706ICFB腳基準電壓是多少嗎?    我不小心忘了.