gowithwind：
談一談MOSFET的溫升。1,MOSFET的溫升與損耗相關，Fet的損耗包括開關損耗和導通損耗；2,導通損耗的計算公式Pcond=Idc*Idc*D*Rds(on)---與門級驅動沒有什么關系；3,所以我們的重點是分析開關損耗，下面我們看看開關損耗的計算公式A，Psw=1/3*Vds*Idmax*Tcross*Fsw(電阻負載)B，Psw=Vds*Idmax*Tcross*Fsw(電感負載)從上面的公式，我們可以看出開關損耗，在Vds,Idmax,Fsw一定的情況下，與電流與電壓的交叉時間Tcross關系很大(也就是門極驅動)C, 基本上Tcross由Fet的柵極充、放電時間常數Tg=Rdrive*Cg和門限電壓Vt來決定---(Cg=Cgs+Cgd,Cg為輸入電容，Rdrive為驅動電阻)