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電磁爐在用電容浪涌測試的時(shí)候，帶著浪涌保護(hù)電路也會(huì)炸IGBT？

正解！

電流余量大，芯片面積大，價(jià)格就高

實(shí)際使用的時(shí)候，會(huì)有一些意想不到的problem。但是基本的思路你還是正確的。

這是帶著IGBT的波形還是空載的波形？

VDS(continuous)是最大直流工作電壓。VBRDSS給出的是最小值，實(shí)際BV會(huì)比min值高10%以上

FRD已被炸掉了

你可以關(guān)注一下器件的datasheet,關(guān)于BVDSS的說明是:VGS=0,IDSS=250uA時(shí)的VDS電壓值.如果你有用圖示儀看BV曲線,你就知道,擊穿電壓就是器件DS上電壓達(dá)到能夠使器件內(nèi)置晶體管發(fā)生導(dǎo)通的電壓,這個(gè)時(shí)候漏電流會(huì)迅速的變大.

1、隔離是比較重要的,可以使用光耦隔離;2、LD是特殊的二極管,其壓降是正向壓降,所以低電壓就可以滿足,但是電流就很重要,不但要大,還要穩(wěn);

看了一下你的資料,還寫著“技術(shù)轉(zhuǎn)銷售”,唉