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“室溫是10度左右。。老化時產品的溫度是80度左右。”溫升有70度,有點高。是不是MOS的品質差些？換個8N80試試吧。MOS在高溫時的實際承受電流會變小。

功率地一般是指有大流流過的地，要就近接到大電解的地上。模擬地是芯片的地，電流很小，為防止功率地的干擾，不能直接相連，和功率地分別接在大電解的地上。