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自己頂一下，求助。。。

ok,明白了，謝謝哦！

推挽，半橋，全橋均存在磁通不平衡的問題，但是我接觸到的內(nèi)容看，隔直小電容在半橋與全橋中應(yīng)用較多，而推挽用隔直電容較少見，請問，這其中有什么區(qū)別嗎？

沒有人解答啊，我查閱了一些書籍，的確存在上述磁不平衡的問題，在動(dòng)態(tài)時(shí)。

樓上正解，應(yīng)該是我理解錯(cuò)誤。DCM與CCM模式都需要考慮磁芯氣隙，只是在設(shè)計(jì)的時(shí)候，CCM模式下磁芯易飽和，需要側(cè)重考慮氣隙。謝謝各位！

現(xiàn)在已經(jīng)找到一個(gè)芯片TL494，不知道可否提供別的一些芯片用于單電壓環(huán)控制呢？

開關(guān)電源的單電壓環(huán)控制。

剛看到要頂一下

謝謝您的指點(diǎn)：總結(jié)一下:芯片啟動(dòng)時(shí)，VDD達(dá)到15.4才啟動(dòng)，啟動(dòng)之后，當(dāng)芯片VDD電壓在大于9.4V之間時(shí)芯片能正常工作，當(dāng)VDD電壓低于9.4V后，芯片欠壓鎖定，當(dāng)芯片電壓再次升到15.4V以上時(shí)，芯片才能正常工作。

VDD在15.4V與9.4V之間芯片是怎么工作的呢？