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一般保險管標明的是10ms內的沖擊能量，我明白了。選擇保險管關于電流有2個參數：一個是沖擊的熔斷能量，跟脈沖次數還有關系。假設這里是10000次，則I2t需要除以0.3的系數一個是額定電流，假如以80℃，   IEC標準，應為標準額定電流/0.9/0.78,   UL標準，應為標準額定電流/0.75/0.78選擇時大于兩者即可。[圖片][圖片]

為啥I2t取半周期內的熔斷能量積分？

幫忙指教下：C*dug/dt=Pi/ug這里t0時刻的電流應該是電容電壓最低時刻的輸出電流，小于Po/ug,更小于Pi/ug。這樣計算是否會引起時刻點偏后，而同時t1點時刻根據第二個方程也會偏后， 造成下面計算的波谷實際縮小。

麻煩發份給我:369677407@qq.com謝謝大師

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蝶形繞法，麻煩出一個示意圖

稍微回復下，錯了望不要見怪，B值設計一般取0.2T以下原因是，磁芯損耗相對較低，按平方算，0.3T是0.2T的2倍以上,效果顯著。

看到大家如此精彩的發言，感同身受，正在徘徊之中，我想知道的是：你今年被殺了嗎？還是殺了你的BOSS？

此款芯片價格如何，可以驅動多大的MOS管

當然啊，主要看電流和功率，一般均比標稱的要低一點。