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邊柱墊氣隙比中柱磨氣隙漏感小、效率高、溫升低，但干擾大，可外包銅皮。氣隙在中心柱時，靠近氣隙位置線圈形成的部分磁力線會形成局部小包圍，這部分磁力線未穿繞外圍線圈使漏感增大。氣隙邊緣的磁力線會向外圍發(fā)散即所謂的邊緣磁通效應(yīng)，氣隙部位的線圈在導(dǎo)線內(nèi)部形成渦流，引起局部繞組發(fā)熱，溫升過高。氣隙附近少繞線可降低漏感，邊柱墊氣隙時，氣隙處也會有漏磁，不過它們大多通過磁芯引導(dǎo)穿過了其它線圈，屬于有效耦合，故漏感相對較小。

TL431的KA極間最低工作電壓2.5V，光耦初級壓降1.6-2V，R8兩端電壓5-2.5-2＝0.5V，TL431靜態(tài)電流大于0.6mA，因DH321的FB即3腳內(nèi)部供電恒流源為0.9mA，如果光耦初次級電流比為1.56:1，則初級最大電流為1.4mA，則流過R8的電流為2mA，0.5V/2mA=250歐，故R8可取250歐以下。R7=1.6V/0.6mA=2.7K，故R7最大值為2.7K，取1-2K為宜。R7為4.3K時，1.6V/4.3K=0.37mA，輸出電壓還未上升到正常值5V時，光耦已有電流通過（0.6-0.37＝0.23mA），會導(dǎo)致輸出電壓偏低。[圖片] 

不是初次級變成了導(dǎo)線，是初次級并上了導(dǎo)線，此時變成了導(dǎo)線是在特殊情況下的等效，導(dǎo)線并上任何器件均可等效成導(dǎo)線。雖然匝比關(guān)系依然存在，但被導(dǎo)線短接掩蓋了。

無漏感變壓器初級勵磁電感被次級短接的導(dǎo)線折算后短接了，有漏感時短接的導(dǎo)線變成了次級折算過來的漏感與短接導(dǎo)線。即短接的導(dǎo)線變成了導(dǎo)線加漏感。

初次級的漏感磁路是有差異的，當(dāng)然要分初次級。如果依你所說，各繞組的漏感與匝比的平方成比例關(guān)系。

是短路FE  漏感是分散存在的，不是集中可分離的。漏感不通過主磁路，但電流要通過漏感，漏感和勵磁電感中的電流同時存在不能分離。  理想無漏感狀態(tài)下，次級短路時，初、次級勵磁電感兩端電壓為零，初、次級勵磁電感在電壓為近似理想的零時能產(chǎn)生任意大小的電流。非理想的次級有漏感，產(chǎn)生電流需要電壓克服漏感產(chǎn)生電流，即次級漏感會反射到初級中。

1、選用頻率特性更好的開關(guān)管。2、增大設(shè)計的占空比，減小關(guān)斷期間存儲時間的相對影響，即間接降低切換頻率。這樣表述更易理解：功率不變時，占空比越大，峰值電流越小，開關(guān)管關(guān)斷時的損耗越小。

之所以為CCM工作模式，是因為在開關(guān)管關(guān)斷期間磁芯的磁能在副邊沒有完全釋放完畢，開關(guān)管再次開通時磁芯的激磁電流有剩余，開關(guān)管再次導(dǎo)通時，電流從這個剩余電流平臺開始上升，即出現(xiàn)CCM模式的側(cè)梯形電流波。當(dāng)副邊包括輔助繞組在內(nèi)的電流都降為零即都是三角電流波時，磁能已釋放完畢，開關(guān)管再次導(dǎo)通時電流從零開始上升，即脫離CCM模式進(jìn)入DCM模式。CCM模式在負(fù)荷減輕、副邊電流都是三角形時轉(zhuǎn)入DCM模式，負(fù)荷加大時又回到CCM模式。設(shè)計時要求在最惡劣情況下，即最低輸入電壓和滿負(fù)荷情況下按CCM模式設(shè)計。原邊電流為梯形時就是CCM模式，原邊電流為三角形時就是DCM模式。

   我是這么思考的：對開關(guān)管來說導(dǎo)通損耗與關(guān)斷損耗相互矛盾。導(dǎo)通壓降大導(dǎo)通損耗大，但結(jié)電容相對較小，關(guān)斷時的存儲和下降時間短，關(guān)斷損耗小。工作頻率高時關(guān)斷損耗突出，這時要選高頻管重點降低關(guān)斷損耗，這時輸入電壓越高，關(guān)斷損耗也越大。工作頻率低時，導(dǎo)通損耗突出，這時要選低頻管重點降低導(dǎo)通損耗，這時輸入電壓越低，導(dǎo)通損耗也越大。輸入電壓高時效率降低明顯，說明開關(guān)管頻率特性不夠。

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