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是的，線露在外面，看不到擋帶，不過如果2次側加了足夠的擋帶或用雙層絕緣線也行（漏感大），要看它結構了，這個不好講。

共模線圈好怕人，環要噴涂或包一層絕緣沙布，一次側安規條款卡不了你。但好的認證機構肯定會提建議，從安全可靠的角度要有措施的，這種環磁導率高，5mm電阻幾百歐到幾十歐，可以用萬用表量，用了高溫線也不行，量產會炸！更大的問題是：磁路會飽和（兩路漏感），擋不住共模信號，個人觀點。

      版主我能不能給你一個建議：把LB一分為二，即中點處剪斷，變成兩個對稱的差摸電感，串在兩條交流線上，看上去像共模，實為差摸（單個電感量為原1/4），這樣PCB也很容易對稱，D1、D2、S1、S2工作時要釋放大量差摸干擾，問題是這些差、共摸信號會相互轉化，兩個對稱的差摸電感配合前端X1電容形成的網絡，它將形成一個很強衰減抑制，如果LB是一個環電感，這兩個差摸電感呈在很大的漏感，共模的衰減也很強，個人認為這個電路應該不存在EMC的問題（如果有條件做一下傳導對比就會有個說明，輻射和你輸入、輸出網絡、幾何結構、殼體有很多關系要區分開了），我沒有做過這個PFC電路，只供參考。

很少來看帖了，辛苦哦！最大的感悟上游不做為！

哈哈！有時間去看看熱鬧！

去看看！

那里的話，共同提高，有時間我會來，只是最近忙些。

是的

你說的是，但不曉得溫度變化、運輸震動等帶來的應力變形對磁參數影響幾何。

我不是來拍磚更不是來攪局的，也沒有認真考慮，對不對供你參考： 一來現實中電阻是有寄生電感的，這會導致MOS管開通時越過門檻電壓的時間變長，增加功耗，也就是說這里使用有源器件是不是要多考慮考慮；二則一旦短路，晶體管可能是飽和到放大來回折騰，最終會穩定在線性放大狀態，也就說MOS管的驅動電壓會穩在門檻電壓上，DS的電壓就是電源電壓刨去電阻電壓，MOS管工作在大電流高電壓狀態下，我的理解不要用晶體管去拉MOS驅動,應該送到相關電路快速切斷MOS驅動，或鎖掉或帶斯密特回差，我比較認同第二張圖。