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過載一般的兩種方式：1、電流上升，電壓下降，下降到額定值的10%以下然后DOWN掉。2、電壓基本不變，電流上升，過了過載點，然后DOWN掉?，F(xiàn)在很多IC都是第2種，第一種方式早幾年的IC大部分是這種方式

lelon和金日（elite)的電容都不錯。LELON是臺系最好的，ELITE是臺日合資的，都是福建冠捷的主力供應(yīng)商。每年的量很大。比豐賓和萬裕好一點

“國內(nèi)產(chǎn)品的話，MOS的VDS取80%”，就是比如說650V的MOS，按VDS80%就是520V，設(shè)計時VDS取520V，當(dāng)然DQE測試是按560V的標(biāo)準(zhǔn)來，實際大多數(shù)電源VDS在540V-550V。

問題已基本解決了，原來調(diào)試時為了省事，沒有裝初次級Y電容。裝上之后就OK了，雜訊好了很多。謝謝專家的建議，對策1沒什么效果。ER35比較貴，準(zhǔn)備改成ER30（31）立式。

你的意思是如果在同一垂直或者水平線上就會有干擾？

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不知道這電源是用在那方面的，我是做monitor,TV類電源的，國內(nèi)產(chǎn)品的話，MOS的VDS取80%。國內(nèi)的電壓很不穩(wěn)定，到280V或者300V很正常。600V的MOS用到580V，很容易被擊穿。按我公司的標(biāo)準(zhǔn)，650V的MOS，VDS尖峰只能在560V以下，超過560V為不合格。而且測試用的是VPP，不是VMAX。

18W輸出，全電壓輸入，你用EF25的變壓器，是不是小了，變壓器溫升，會高的離譜吧（肯定大于60℃），效率肯定不高的。高壓過流提前的問題是，高壓輸入是工作在CCM模式，峰值電流比低壓工作在DCM模式的電流大恨多（2倍以上）。

1、開機(jī)時間(啟動時間）：輸入電壓建立，到輸出電壓達(dá)到標(biāo)稱值90%的時間。一般要求2S內(nèi)。2、上升時間：輸出電壓從10%（有的規(guī)定是從0）上升到90%的時間。一般要求10-20ms.（根據(jù)實際需要,來定規(guī)格.有的系統(tǒng)可能有時序要求）3、開關(guān)機(jī)次數(shù)，一般指開關(guān)沖擊次數(shù)，看產(chǎn)品應(yīng)用的地方，做出要求。比如電視機(jī)，機(jī)頂盒，DVD。一般開關(guān)次數(shù)都比較多，可靠性理論測試10W次。

你的要求不是一般的BT，ER的就很不錯了，如果做整流用，對于這么高的電壓，目前只有ER的最合適了