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RCD中的D一般用快管（EMI會(huì)好一些），適當(dāng)加大RCD中的C效率會(huì)加大一些，通過(guò)與D串聯(lián)電阻來(lái)吸收震蕩改善EMI，減小R會(huì)使效率降低一些但同時(shí)也會(huì)減小MOS應(yīng)力。不知道這樣總結(jié)對(duì)不對(duì)，望指點(diǎn)。