可控硅器件是一種較為常見的半導體器件，其被大面積應用在電視、空調、冰箱、電燈等家電領域。因此在可控硅的應用過程中總會遇到這樣或者那樣的問題。由可控硅引起的電路及器件燒毀就是這樣一種常見問題，本文就將結合實例，為大家講解一種單片機接通可控硅打火后燒毀的情況。

圖1

圖2

如圖1所示，直流24V是半波整理后阻容降壓所致，之后HT7533轉換3V給單片機來控制可控硅和繼電器。單片機控制信號先打開可控硅6ms，之后再打開繼電器。那么問題來了，當可控硅不焊接時，單片機控制繼電器正常，但連接MAC97A后，單片機接通可控硅后電路打火，單片機和后端的24V轉3V的LDO燒毀，為什么會這樣呢？

如果在電路中需要使用可控硅，就需要用MOC3022之類光耦隔離控制，要求阻容降壓電源正極和交流電源線共線，同時可控硅A1接在共線上。 反觀案例中的原理圖和PCB，可以看到可控硅的G和T2之間電壓很小，可控硅在焊接之后就將220v引入，因此打火的情況是必然的。

此外不是只在G接控制即可，G的控制是相對于T2的，但T2已經(jīng)達到了220v，燒毀是必然的。這里多說一句，有的設計者很有想法，這樣的方式能夠讓繼電器接通時有抖動，可以避免繼電器抖動帶來的危害，因為在繼電器接通時，可控硅已經(jīng)打通。

有時間的朋友可以試試使用過0觸發(fā)的MOC3041/61/83之類來隔離驅動案例中的可控硅，可能連過0檢測都不需要了。

通過分析，可以看到本例中雙向可控硅燒毀的問題是由設計和接通錯誤造成的。正在學習可控硅相關知識的朋友可以仔細閱讀本文，相信一定能從文中找到一些有用的解決方法或知識點。小編也將繼續(xù)為大家收集整理相關的有用案例，請大家持續(xù)關注。