隨著半導體行業持續突破設計尺寸不斷縮小的極限，極紫外 (EUV) 光刻技術的運用逐漸擴展到大規模生產環境中。對于 7 納米及更小的高級節點，EUV 光刻技術是一種能夠簡化圖案形成工藝的支持技術。要在如此精細的尺寸下進行可靠制模，超凈的掩模必不可少。

與所有掩模一樣，用于 EUV 光刻的掩模依靠掩模光罩盒實現安全存儲，以及保護它們免受光刻圖案形成、檢測、清潔和修復的影響。防護光罩盒必須能夠使用多年，而且不會造成有害的污染或物理損壞。

專為 193 納米沉浸式光刻而設計的光罩盒無法為 EUV 掩模提供足夠的保護。EUV 光刻的獨特要求對光罩盒提出了額外的限制條件和要求，使得 EUV 掩模光罩盒成為一種具有多個關鍵元件且高度專業化的設備。

本文介紹了為 EUV 光刻設計光罩盒所面臨的內在挑戰， 并提出了解決方案以便讓更多晶圓廠能夠在其工廠中采用先進的光刻節點。

保護EUV掩模

光刻圖案越精細，發生掩模污染的風險就越高。潛在污染源包括外來顆粒和化學殘留物。掩模涂層比較脆弱，容易損壞。接觸掩模的任何物體都可能造成損壞，無論是意料之中的制程部件（例如，晶圓廠里的機械臂），還是意外污染物（例如，人的毛發）。

沉浸式光刻采用薄膜作為“防塵罩”，以保護掩模在圖案曝光期間免受顆粒污染。薄膜需要是光學透明的，從 EUV 光刻角度來說，這意味著它們必須對波長約 13.5 納米的EUV 光譜中的光透明。現有的大多數薄膜材料都會吸收EUV 光，但半導體行業已開始采用 EUV 專用薄膜

（見圖 1）。

在薄膜成為 EUV 光刻技術的使用標準之前，EUV 光罩盒需要保護沒有添加薄膜的掩模。用于 EUV 光刻的 NXE 機臺需要采用雙光罩盒配置，包括處于真空條件下的金屬內光罩盒以及與周圍環境接觸的外光罩盒。內光罩盒只有在處于機臺設備內部時才會打開。

雙光罩盒配置是 EUV 光刻的標準慣例，而且這種光罩盒可以在市場上買到。雖然它們很容易買到，但不能因此就將它們視為商品。EUV 光罩盒設計（見圖 2）會不斷改進，以滿足性能和光刻產率的要求。