隨著氮化鎵（GaN，以下同）半導體需求的持續增長，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正抓住這一趨勢，鞏固其作為GaN市場領先垂直整合制造商（IDM，以下同）的地位。近日，公司宣布其在 300mm晶圓上的可擴展GaN生產已步入正軌。隨著首批樣品將于2025年第四季度向客戶提供，英飛凌有望擴大客戶群體，并進一步鞏固其作為領先氮化鎵巨頭的地位。

英飛凌300mm GaN技術

作為功率系統領域的領導者，英飛凌已經掌握全部三種材料的相關技術：硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。憑借更高的功率密度、更快的開關速度和更低的功率損耗，氮化鎵半導體可實現更緊湊的設計，從而減少智能手機充電器、工業和人形機器人，以及太陽能逆變器等電子設備的能耗和熱量產生。

英飛凌科技氮化鎵業務線負責人Johannes Schoiswohl表示：“英飛凌全面擴大的300mm GaN生產規模將幫助我們更快地為客戶提供更高價值的產品，同時推動實現Si和GaN同類產品的成本持平。在英飛凌宣布突破300mm GaN晶圓技術近一年后，我們很高興看到我們的過渡進程進展順利，并且業界已經認識到英飛凌GaN技術在我們的IDM戰略優勢下所發揮的重要作用。”

英飛凌的生產策略主要以 IDM 模式為主，即擁有從設計到制造和銷售最終產品的整個半導體生產流程。公司的內部生產策略是市場上的一個關鍵差異化因素，具有多重優勢，如能提供更高質量的產品、更快的產品上市時間以及出色的設計和開發靈活性。英飛凌致力于為氮化鎵客戶提供支持，并可擴大產能以滿足他們對可靠的GaN電源解決方案的需求。

憑借其技術領先優勢，英飛凌已成為首家在現有大批量生產基礎設施內成功開發出300mm GaN功率晶圓技術的半導體制造商。與現有的 200mm晶圓相比，300mm晶圓上的芯片生產在技術上更加先進，效率也顯著提高，因為更大的晶圓直徑可使芯片生產效率提高 2.3 倍。這些增強的能力，加上英飛凌強大的GaN專家團隊，以及業界最廣泛的知識產權組合，恰好可以滿足基于GaN的功率半導體在工業、汽車、消費、計算和通信等領域快速普及，包括AI系統電源、太陽能逆變器、充電器和適配器以及電機控制系統等。

市場分析師預測，到2030年，GaN在功率應用領域的收入將以每年36%的速度增長，達到約25億美元[1]。英飛凌擁有專門的生產能力和強大的產品組合，去年發布了40多款新型GaN產品，這使其成為尋求高質量GaN解決方案客戶的首選合作伙伴。

[1] Yole Group；《功率碳化硅和氮化鎵化合物半導體市場監測，2025 年第二季度》

關于英飛凌

英飛凌科技股份公司是全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者。英飛凌以其產品和解決方案推動低碳化和數字化進程。該公司在全球擁有約58,060名員工（截至2024年9月底），在2024財年（截至9月30日）的營收約為150億歐元。英飛凌在法蘭克福證券交易所上市（股票代碼：IFX），在美國的OTCQX國際場外交易市場上市（股票代碼：IFNNY）。

更多信息，請訪問www.infineon.com

更多新聞，請登錄英飛凌新聞中心：https://www.infineon.com/cms/en/about-infineon/press/press-releases/  

英飛凌中國

英飛凌科技股份公司于1995年正式進入中國大陸市場。自1995年10月在無錫建立第一家企業以來，英飛凌的業務取得非常迅速的增長，在中國擁有約3,000多名員工，已經成為英飛凌全球業務發展的重要推動力。英飛凌在中國建立了涵蓋生產、銷售、市場、技術支持等在內的完整的產業鏈，并在銷售、技術研發、人才培養等方面與國內領先的企業、高等院校開展了深入的合作。