前幾天因為電源emc沒過的事情，大家在討論辦法。最后因為ic被搞壞（壞于本人之手呀），也不了了之。經過幾天醞釀之后發現有一些想法。特在此說明以來拋磚引玉。

 

1、  毋庸置疑，mos開啟震蕩肯定是它寄生參數的影響，一個理想的mos開啟式是不會震蕩的。

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

                                                          

 此圖摘自Analysis of dv/dt Induced Spurious Turn-on of MOSFET

 

2、  上圖是mos管考慮寄生參數以后的模型，本來想算一下整體的傳遞函數的，后來想想G極的模型無論震蕩與否，最后對DS這邊的影響只是開啟電壓的陡峭與否。GS回路是一個二階系統在此特將二階系統的相應貼于下邊進攻參考

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

摘自 胡壽松 自動控制理論第四版

GS極的結論是：無論震蕩與否影響只是對開啟電壓速度的影響

                            Ps：震蕩的低點不會關斷mos

                            Pps：不考慮震蕩耦合到其他部分引起的副反應。

當用小阻尼的時候開啟電壓速度快一點，大阻尼的時候開啟電壓慢一點，聯系到實際的時候就是，IC控制信號和mos管G極之間的電阻小一點，電壓上升快，可能會引起震蕩，當之間的電阻大一點的時候電壓上升慢，就會減少震蕩，。

關于電壓上升為什么會產生震蕩將在下邊討論（）

當G極有一個開啟電壓以后，對于DS之間來說是階躍輸入，所以只要考慮階躍反應就可以了，這樣算出來的是電壓的反應，對于電流來說有著直接關系（函數關系沒想清楚，我認為當電壓震蕩的時候電流就會震蕩）。當從DS看過去的時候考慮各種寄生參數的時候模型變成

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

這個圖是我自己在pspice中作的呀，這樣就不用引用別人的圖了

 

上圖中的電容為各種寄生電容的整合，最后的電阻模擬的負載電阻。

然后在這里就可以寫出電流與電壓的關系了

 I=kD（V）其中D表示一次微分，k為一個常數，就是說電壓波形的一次微分就是電流的波形了。

然后，當我們考慮電容和L1節點之間的電壓的時候（實際的時候用示波器看D極的電壓波形）這樣傳遞函數就變成了

這樣的話根軌跡如下圖

 

 

 

 

 

 

方向是送星星到圓圈，上邊圓圈畫小了就看下邊吧！。當然

不是所有的此類系統都會震蕩，但是如果你的mos開啟不震蕩的話你干嘛看這個帖子。此類系統也有不震蕩的根軌跡圖，但是在此之考慮震蕩模型，此說明。

 

考慮一下方程的判別式

首先震蕩的時候判別式是負的 

那么考慮絕對值的時候  判別式為

   1/(4*L_2*C)-(R/L₁)²

 

可以看出當增大C的時候判別式會減小，也就是虛部的絕對是會減小，也就是震蕩回減小，但是反函數的圖像在腦子里想一下就會知道只有在C較小的時候會有明顯的變化，當C比較大的時候作用就不明顯了。這就是在DS之間并聯電容能夠減小震蕩的原因。

 

 

讓后讓我們來改變一下，模型試試 

 

讓我們在電容上并上電阻的時候就構成了類似阻容吸收的結構。傳遞函數為

(L₁R₁CS²+(L₁+R₁R₂C)S+R₁+R₂)/

(R₂C(L₁+L₂)S²+(L₁+L₂+R₁R₂C)S+R₁+R₂)

判別式是關于R₂的二次函數開口向上，也就是說選一個合適的R會大大減少震蕩，具體的時候可以在DS之間并聯電位器，選一個合適的值

第三個是在沒有阻容吸收的時候用pispice仿真不同的電壓上升時間。這個已經有共識就不在多說了。

結論減小mos開啟震蕩可以通過以下方法

1、  增加DS電容

2、  增加驅動電阻

3、  選一個合適的并聯電阻并在DS之間。

 從world里面復制過來貌似圖片出錯呀