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MOSFET的ZCS開通

問大家一個關(guān)于零電壓開通的問題

MOS管零電流開通的時候,寄生的輸出電容Coss被短路(電壓突變),會產(chǎn)生很大的電流電壓震蕩。

所以零電流開通并不能減小開通損耗。可是書上說零電流開通也是軟開關(guān)的一種。

如果這樣的話,什么時候后才能用到零電流開通呢?如何能避免零電流開通導(dǎo)致的震蕩呢?

請各位大牛指教。謝謝!

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2013-10-16 10:07

理論上,ZCS時,電流為0,所以開通損耗也為0。

如果按照你的貼圖,則開通損耗為圖中電壓uDS與電流iDS瞬時波形乘積的積分,再乘以開關(guān)頻率fs,即P=∫(uDS*iDS)dt*fs。電流越小,開通損耗越小。所以實際上,ZCS的開通損耗會比常規(guī)的小的多,雖然不一定是0W。

因為器件的寄生參數(shù)是一定存在的,震蕩是避免不了的。只要開通損耗控制在合理的范圍內(nèi),就可以了。如果要再降低開通損耗,就要選用性能更好的MOS管。

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149285786
LV.2
3
2013-10-17 06:27
@新月GG
理論上,ZCS時,電流為0,所以開通損耗也為0。如果按照你的貼圖,則開通損耗為圖中電壓uDS與電流iDS瞬時波形乘積的積分,再乘以開關(guān)頻率fs,即P=∫(uDS*iDS)dt*fs。電流越小,開通損耗越小。所以實際上,ZCS的開通損耗會比常規(guī)的小的多,雖然不一定是0W。因為器件的寄生參數(shù)是一定存在的,震蕩是避免不了的。只要開通損耗控制在合理的范圍內(nèi),就可以了。如果要再降低開通損耗,就要選用性能更好的MOS管。

謝謝新月GG的回復(fù)。我自己做了一下Spice仿真,大概明白怎么回事兒了。

自己算了一下這個Coss放電的損耗,不是很大。

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av-rgb
LV.6
4
2016-02-12 00:59
@新月GG
理論上,ZCS時,電流為0,所以開通損耗也為0。如果按照你的貼圖,則開通損耗為圖中電壓uDS與電流iDS瞬時波形乘積的積分,再乘以開關(guān)頻率fs,即P=∫(uDS*iDS)dt*fs。電流越小,開通損耗越小。所以實際上,ZCS的開通損耗會比常規(guī)的小的多,雖然不一定是0W。因為器件的寄生參數(shù)是一定存在的,震蕩是避免不了的。只要開通損耗控制在合理的范圍內(nèi),就可以了。如果要再降低開通損耗,就要選用性能更好的MOS管。

問題是哪個功率器件關(guān)斷時刻都是0電流啊,比如行管等等。

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