好啊!多點上傳吧!

有沒有了還?

你還有其他的嗎??

是不用拆下來量嗎?

對

是在斷電還是上電的情況下??萬用表的電阻打到什么檔位??
IGBT呢是不是同樣的道理啊??

要是全部都并聯(lián)了怎么辦

我也聽別人講過  剛開始不理解    MOS 不是隨溫度上升電阻會變大嗎.
那這不就剛好可以做到THERMAL平衡嗎.可實際不是這樣的  我想是即使是
相同的MOS 參數(shù)還是有差異的結果吧.

一定有差異的,最厲害要有正負30%

我要虛心的向你學習哦.

但當受不了時總有一個先壞,不可能同時壞的,壞了1支后電源短路,燒保險,如無保險,燒斷與這支管的線路,然后燒下一支管,(就像打CS時,N個人打一個只有1分的人,不管你多么同時,肯定只有一個人先打到)

該怎樣保護場效應管

不知是什么方面的保護

用示波器來看更加快,波形不正常的那個就是了.

MOS導通電阻的正溫度特性只影響MOS開啟后的平衡,由于熱傳遞的速率問題,也只能當作長期效應,對于開啟和關斷瞬間的損耗是沒有辦法平衡的.

場管莫名其妙的經(jīng)常損壞,不知是何道理?

請教大哥:場管K2313用什么型號管子能代替?

你也可以將電表打到“二極體”值的擋位,分別檢測G、D、S相對的二極體值,正常為無窮大,燒掉的MOS的二極體值會很小.

有的時候要拆下量才可以,象幾個mos并聯(lián)使用的時候,D、S間短路的時候就打不出是那個短路,必須要拆下才可以量測

呵呵

看你是什么線路了???

反對!并聯(lián)的時候你量測波形都是異常的!!

這需要斷開每一個并聯(lián)的才可以!China-One Enterprise Co., Ltd.

非常正確

謝謝領導批示!!China-One Enterprise Co., Ltd.

由于在并聯(lián)中一般的MOSFET 都有柵極消振電阻,一般在幾歐到幾十歐左右,而損壞的一般都是三個極均穿通,所以直接用R*1檔去測量R GS ,阻值極小的一組就是損壞的MOSFET.如果不行就斷開柵極消振電阻再去測就可以了.比從散熱片上一個個拆了再檢查要方便得多.

謝謝