low side更好弄

你看到的電路那是對輸出是High side, 對IC還是Low side

所以用法, 將MOSFET連接到輸出繞組RET端, D極接線圈, S極接輸出地

IC_VDD拉到正輸出線圈端

Pgnd 與 Vss接到MOS_S端

VG一樣推MOS_G

VD串電阻接MOS_D端, 其中需注意, VD與Vss要盡量靠近MOSfet.....

另外提醒你, 同步整流使用在Low Side 端, 則EMI會較差....

我接的方法與你說的是一致的，但是VG沒有輸出，暈死。幫看看完整的電路圖那有問題。

仔細(xì)看手冊，里面VG為高的條件是當(dāng)MOS的體二極管導(dǎo)通時，VDS產(chǎn)生-500mv電壓低于開啟設(shè)定的閥值電壓-70mv，進(jìn)而VG為高；當(dāng)VDS電壓大于關(guān)閉閥值50mv進(jìn)而使VG為低。有個疑問這個IC是單電源供電的，它是如何識別負(fù)電壓的？我測試上面電路的VDS波形是滿足開啟關(guān)閉要求的，為什么VG信號不對呢

把R105連接到"ECC"點(diǎn)再穩(wěn)壓下來.... 

已經(jīng)找到原因，PCB上面有點(diǎn)密，絲印不好區(qū)分，技術(shù)員把豎著焊的元件橫著焊了，但是驅(qū)動波形很異常，1.幅值比VCC低了很多；2.在前端有個很大的抖動

藍(lán)色是VCC,黃色是驅(qū)動

是IC驅(qū)動能力不足引起的嗎？