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你這樣的畫法,會讓人看不出所以然,改個方式畫法如下:[圖片]兩顆MOS為串聯而連接到P-與電池負(BAT-)端,注意MOS的bodydiode極性當充電電壓從P+,P-進入時,CO(Chargeoutput)送出High,MOS打開,另一顆順向MOS再打開,若有過流從RS偵測到,則關閉CoMos當P+,P-沒電,此時電池端是給電的,則Do(dis-Chargroutput)Mos開,背接二極體順向,MOS再打開,當RS偵測到輸出過電流後,Do將關閉所以這是在控制電池充放電用的

曾幾何時技術領域變的如此殘酷,真令人匪夷所思這電路有三個部份1.Q12為防反接電路,利用MOSFET本身BodyDiode達成當電源極性正確時導通,極性反接時不導通來達成而BodyDiode因為戴有一個壓差,&nbsp;所以導通MOSFET短路二極體,以減少損耗2.Q4為InrushCurrent控制電路,當t<0時,&nbsp;儲能電容&nbsp;Co=0此時當電源接入後InrushCurrent=Vin/(RT1+RT2)當t>0後,導通MOSFET來短路RT1與RT2,以減少損耗3.Q3稱為CurrentShare電路,當兩組電源同時接入後,則因為兩組電壓不可能一致,因此後端負載抽取電流時,一定會從電壓較高的那一組抽取,此時兩組電流會不平衡,因此必須透過CurrentShare電路來平衡時序有空再傳上來解說

062輸入是JFET結構,070輸入是CMOS結構,這種OP對於輸入阻抗與輸出導納是不一樣的........且輸入Offset也不一樣

這本來就是輸入交流,輸出直流........這是給A/D讀取交流用....

[圖片]就這原因..................

[圖片]這是因為系統讀取AC電壓或電流必須有基準地的關係如果你原本就是隔離式,那麼把副邊地與N連接是沒問題的,唯一是有EMI要求要重新測如果你用的是非隔離式,那麼AC端不可以用橋式整流,只能用半週整流,整流位置在L,然後N直接連接,否則橋堆會爆......

[圖片]這是原理圖,你自己刪減.....1).Port1產生一個方波,初始值,當Q1_ON,則D1對C1充電,當Q1_Off時,C1則透過R3,D2轉移到C22).輸入60V,所以Q1,Q5必須選擇100V耐壓,Q2,Q3不變3).Q1_On週期寬度可以控制C1充電電壓高低，R3則是控制C1能量轉移到C2做為限電流用4).Q3,R4,Q5為加速MOS_OFF用,理論上可以利用Port產生方波後電壓自舉控制MOS_ON,當沒電實例用電阻使MOS_OFF即可,但這與&nbsp;&nbsp;&nbsp;MOS_Ciss有關,你可以適度改變或刪除,以節省空間....

CoolMosFET是一種克服傳統的MOS,傳統VDS越高則ID越小,若ID越大RDSon越小但Ciss越大所以,以往使用上,選擇高壓MOS以600V而言,必須要求ID越大,RDSon越小,但Ciss也要求很小,&nbsp;這時包裝上必須用到TO-3P或TO-247才可以===================================================================================早期MOS製程,稱為Plannar製程,它特性是頻率不高,穩定度較好,唯一缺點是RDSon不高,體積也較大多年前,英飛凌用新製程改善MOS高壓ID不高的特性,以稱為Trench製程來改善,用同樣規格且更低的RDSon包入TO-220花架上,這就是俗稱的CoolMos當專利期過後,市面上就出現很多以Trench製程的MOSFET,同樣To-220包裝,而ID越做越大,RDSon是越做越小Trench製程是在get層以V溝方式埋入,相較於Plannar以平面埋入方式讓P與N間越接近,get面積越小減少Ciss,相對降低RDSon但Trench並不是萬能,雖然操作頻率可以提高,但早期英飛凌C系列中,在使用上必須於D腳串入磁珠,否則一上電就爆,因為速度太快了Trench主要缺點就是電壓耐衝擊性較為不足,因此又有新一代的改進方式,目的是提高耐電壓衝擊性,以確保使用上的穩定度這種我們稱為SuperJunction..........&nbsp;&nbsp;

這問題,之前有做詳述,可能你沒看到,在此贅述一次:PD由於變化電壓基礎為5V,經過系統溝通後可變為9V,15V,20V但是,當Connect拔出後,對於電源端等於是空載,因此當電壓升為20V對筆電充電後突然拔出,此時由於空載所以Connect必然帶20V電壓,此時Connect插入手機時則20V會灌入手機,此時手機必燒......所以規範內必須有開關:當Connect拔出後,失去溝通,開關必須馬上關閉輸出洩放電阻:假如於開關前後都裝有電容,則開關關閉後,必須對Connect末端做洩放,把電容電壓放掉而這些功能大多做在辨識IC內,作為插拔測試規範至於使用P-MOS或N-MOS主因是P-MOS為LowActive,對於辨識IC而言,驅動很方便,但是P-MOS要做到低RDSon會較貴,且是兩顆串聯如果使用N-MOS,則辨識IC必須有自舉電路,但是對於N-MOS而言,RDSon可以做到極低,且價錢很便宜所以用P-MOS則MOS貴,辨識IC便宜用N-MOS則MOS便宜,辨識IC貴

參考這看看[圖片]這原本是給車燈用的,大車或小車,大車為24Vin,小車為12Vin,工程師很懶,用一組燈板共用一片驅動板,所以才會有這電路出來....LED電壓從輸出回到輸入,所以最大電壓為Vin+Vled,可以升壓可以降壓,最大效率約93%最低效率為91.5%電流調整從RCS與RCS1,Ref為100mV,所以Iled=100mV/(RCS//RCS1)