在雙mos 降壓電路中，H-MOS 關(guān)斷到L-MOS 打開的區(qū)間內(nèi)，phase點電位會有負(fù)壓尖峰，望大師們解惑
這是發(fā)生short Threshold
試著幾點
1). 換MOSFET Qg 大一點的
2). 死區(qū)若可改, 死區(qū)調(diào)小
3). 下橋MOSFET 試著並聯(lián)一顆蕭特基二極體
4). 自舉電路, 二極體端串連一顆電阻, 或自舉電容變小
幾種方法試看吧.......
juntion版主，
有關(guān)于short Threshold的資料介紹嗎？剛學(xué)這一塊，不是很了解
謝謝！
