請教如何讓MOS快速導通和關閉？
如何讓MOS快速導通和關閉？
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@juntion
對P-MOS而言,LOW為Vin,Hihg叫做零伏........
這是曝光機上使用的控制器，客戶在修改老的曝光機，根據機型的尺寸，LED多少顆不一定，而且它是紫外光365波長和385波長混搭在一起使用，總的下來電壓范圍在72-98V之間。要求電流在0-2A范圍內可調。我現在用一個108V的直流電源去推一個降壓DC-DC的電源，中間還要一個高位開關（MOS不能放在底位），用于關閉和開啟光源的作用。由于不同機型的原因，有時這個機型用到72V,那個機型可能用到85v,另一個可能用到98V，因此想做一個適合多種機型的控制器。你提出動態箝位是一個很好的方案，就不知這電路是什么樣的。
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@最愛電源
這是曝光機上使用的控制器，客戶在修改老的曝光機，根據機型的尺寸，LED多少顆不一定，而且它是紫外光365波長和385波長混搭在一起使用，總的下來電壓范圍在72-98V之間。要求電流在0-2A范圍內可調。我現在用一個108V的直流電源去推一個降壓DC-DC的電源，中間還要一個高位開關（MOS不能放在底位），用于關閉和開啟光源的作用。由于不同機型的原因，有時這個機型用到72V,那個機型可能用到85v,另一個可能用到98V，因此想做一個適合多種機型的控制器。你提出動態箝位是一個很好的方案，就不知這電路是什么樣的。
抱歉, 把你這帖給忘了..
如圖
正動作原理為:
送電初期, Q4導通, 所以MOSFET截止, Q2也是導通, 所以C1沒電壓, 但隨著B點電壓上升, 則A點電壓也會逐步上升
此時電流由R3提供..........
當B點電壓到達 "A點電壓 - Vbe" 時, 電壓停止變化, 所以MOSFET導通所需電壓就等於是VC1電壓
決定R4,R5 與 A點, B點電壓
令, Vin 為 70V時, P-MOS_VGS = 12V,則A點電壓為 70-12V = 58V , Vbe = 0.6
則B點電壓為58V - 0.6V =57.4V ;; R4 / R5 倍率值=((Vin/VB)-1) =((70V/57.4V)-1) = 0.21倍
R5 選 33K , 則 R4 = R5 * 0.21 =33K * 0.21 = 6.93 , 取 6.8K ; 所以R5 = 33K , R4 = 6.8K
重新再驗算 :
當
Vin = 70V B點電壓為 (70 * 33K) / (33K+6.8K) = 58.0V , A點則為 58.0V+0.6V A點電壓為58.6V
所以VGS(Low) = 70V -58.6V =11.4V , P-Mos可以導通
當
Vin = 100V B點電壓為 (100 * 33K) / (33K+6.8K) =82.91V , A點則為 82.91V+0.6V A點電壓為83.5V
所以VGS(Low) = 100V-83.5V = 16.5V , P-Mos可以導通
ZD1則是做最終箝位用, 而當你最大輸入電壓接近100V時, 三極體部份耐壓需要用到高耐壓, C1則為Low 位準保持
點, 電容應以電解為準, 高速切換時才可以保持能量.......
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@juntion
抱歉,把你這帖給忘了..如圖[圖片]正動作原理為:送電初期,Q4導通,所以MOSFET截止,Q2也是導通,所以C1沒電壓,但隨著B點電壓上升,則A點電壓也會逐步上升此時電流由R3提供..........當B點電壓到達"A點電壓-Vbe"時,電壓停止變化,所以MOSFET導通所需電壓就等於是VC1電壓決定R4,R5與A點,B點電壓令,Vin為70V時,P-MOS_VGS=12V,則A點電壓為70-12V=58V,Vbe=0.6 則B點電壓為58V-0.6V=57.4V ;;R4/R5倍率值=((Vin/VB)-1)=((70V/57.4V)-1)=0.21倍 R5選33K,則R4=R5*0.21=33K*0.21=6.93,取6.8K ;所以R5=33K,R4=6.8K 重新再驗算: 當Vin=70V B點電壓為(70*33K)/(33K+6.8K)=58.0V,A點則為 58.0V+0.6VA點電壓為58.6V所以VGS(Low)=70V-58.6V=11.4V,P-Mos可以導通當Vin=100VB點電壓為(100*33K)/(33K+6.8K)=82.91V,A點則為82.91V+0.6VA點電壓為83.5V所以VGS(Low)=100V-83.5V=16.5V ,P-Mos可以導通ZD1則是做最終箝位用,而當你最大輸入電壓接近100V時,三極體部份耐壓需要用到高耐壓,C1則為Low位準保持點,電容應以電解為準, 高速切換時才可以保持能量.......
ZD1（18V）會損壞嗎？
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