收到Rohm碳化硅MOS評(píng)估板已經(jīng)有一段時(shí)間了，今天終于有空寫(xiě)帖子。
先曬曬評(píng)估板和待評(píng)估的SIC MOSFET器件
樣品中遺憾的是沒(méi)有4條腿的SiC MOSFET,等后期有了再補(bǔ)上
碳化硅評(píng)估板照片如下圖
評(píng)估板圖片先到這，接下來(lái)對(duì)板子的細(xì)節(jié)和器件進(jìn)行評(píng)估分享
對(duì)評(píng)估版的細(xì)節(jié)做個(gè)簡(jiǎn)單介紹
1、主電路上封裝兼容TO247-3L和TO247-4L兩種封裝，可以方便的對(duì)比兩種封裝的器件特性差異
2、驅(qū)動(dòng)芯片采用Rohm SIC MOSFET 專用驅(qū)動(dòng)IC，型號(hào)BM6101
詳細(xì)器件資料
/upload/community/2019/08/11/1565527258-31824.pdf
驅(qū)動(dòng)芯片框圖及不同封裝的應(yīng)用參考
3、雙脈沖控制部分，3個(gè)按鍵模擬信號(hào)機(jī)故障復(fù)位
先來(lái)看一組SCT2080的測(cè)試數(shù)據(jù)
| VGSTH | IDSS | BVDSS | IGSSF | IGSSR | RDSON |
| 3.036V | 195.7nA | 2300V | 9.1nA | 7.0nA | 75.5 mohm |
| 3.077V | 203.1nA | 2309V | 10.5nA | 2.6nA | 75.2 mohm |
額定電壓1200V的SIC MOSFET,阻斷電壓居然到了2300V，可見(jiàn)余量很大
最新的SCT3080KE測(cè)試結(jié)果如下，Vgsth稍有提高，阻斷電壓依然高于額定600多V，良心產(chǎn)品啊
| IDSS | BVDSS | BVDSS | VGSTH | RDSON |
| 0.69uA | 1839V | 1885V | 3.354V | 81.1mohm |
| 0.71uA | 1839V | 1885V | 3.361V | 81.1mohm |
SCT3040 KE測(cè)試數(shù)據(jù)
| IDSS | BVDSS | BVDSS | VGSTH | RDSON |
| 0.78uA | 1714V | 1764V | 3.527V | 40.4mohm |
| 0.81uA | 1714V | 1764V | 3.668V | 40.5mohm |
從測(cè)試結(jié)果看，Rohm SIC MOSFET器件的一致性都較好，電壓裕量大
找了一個(gè)TO247-4L的器件可以完美兼容安裝，驅(qū)動(dòng)問(wèn)題解決了就可以上高壓測(cè)試了
今天找到問(wèn)題所在了，這個(gè)評(píng)估版默認(rèn)是按TO247-4L設(shè)計(jì)的，使用4L的器件測(cè)試驅(qū)動(dòng)是OK的，可以準(zhǔn)備上高壓進(jìn)行測(cè)試了
設(shè)置驅(qū)動(dòng)電壓+18V/-2V,實(shí)測(cè)關(guān)斷電壓-1.918V
之前測(cè)試有問(wèn)題主要是沒(méi)有焊接漏空的電阻
至此問(wèn)題原因已分析清楚。
先做一個(gè)階段性總結(jié)
1.該評(píng)估板設(shè)計(jì)上很好的兼容了247-3和247-4的封裝器件，使得參數(shù)評(píng)估對(duì)比簡(jiǎn)化很多
2.控制拓?fù)渖峡梢詫?shí)現(xiàn)半橋、BUCK降壓、BOOST升壓等拓?fù)?
3.驅(qū)動(dòng)信號(hào)也做了很多實(shí)用的設(shè)計(jì)，比如死區(qū)時(shí)間、互鎖、單獨(dú)驅(qū)動(dòng)、同步驅(qū)動(dòng)等
4.保護(hù)功能全面，過(guò)流保護(hù)點(diǎn)可調(diào)的過(guò)流保護(hù)電路、故障鎖存、故障復(fù)位、故障指示等
5.可調(diào)的驅(qū)動(dòng)電壓，可以適用Rohm不同Gen的SiC MOSFET
總體來(lái)說(shuō)該評(píng)估板設(shè)計(jì)上是很完善的，所有器件采用Rohm的電子元器件，具有較好的生態(tài)解決方案
等Rohm 247-4L器件樣品拿到后再做進(jìn)一步測(cè)試
