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國產IGBT模塊可以考慮嘉興斯達，江蘇宏微，南京銀茂，寧波達新，中車時代電氣。斯達是上市公司，宏微是準上市公司以上供參考

不涉及電磁輻射問題，只是器件的評估

先做一個階段性總結1.該評估板設計上很好的兼容了247-3和247-4的封裝器件，使得參數評估對比簡化很多2.控制拓撲上可以實現半橋、BUCK降壓、BOOST升壓等拓撲3.驅動信號也做了很多實用的設計，比如死區時間、互鎖、單獨驅動、同步驅動等4.保護功能全面，過流保護點可調的過流保護電路、故障鎖存、故障復位、故障指示等5.可調的驅動電壓，可以適用Rohm不同Gen的SiCMOSFET總體來說該評估板設計上是很完善的，所有器件采用Rohm的電子元器件，具有較好的生態解決方案等Rohm247-4L器件樣品拿到后再做進一步測試

今天找到問題所在了，這個評估版默認是按TO247-4L設計的，使用4L的器件測試驅動是OK的，可以準備上高壓進行測試了設置驅動電壓+18V/-2V,實測關斷電壓-1.918V[圖片]之前測試有問題主要是沒有焊接漏空的電阻[圖片]至此問題原因已分析清楚。[圖片]

找了一個TO247-4L的器件可以完美兼容安裝，驅動問題解決了就可以上高壓測試了[圖片]

按照Rohm推薦，對板子供電12V，測試輸入電流約0.013mA,指示燈全部亮起[圖片][圖片]驅動供電電源測試波形如下：從波形可以看出是反激拓撲，開關頻率330kHz，電壓尖峰只有20.7V[圖片]在沒有輸入信號的情況下，Vgs驅動電壓如下：下橋-10V，上橋-15V，和理論分析偏差較大鑒于此情況需要分析清楚原因才能繼續加高壓測試，否則容易損壞器件[圖片][圖片]

炸機的原因很多，不一定是變壓器引起的

單個變壓器估計在6-8kW左右

這個是套的鐵氟龍管

先來看一組SCT2080的測試數據VGSTHIDSSBVDSSIGSSFIGSSRRDSON3.036V195.7nA2300V9.1nA7.0nA75.5mohm3.077V203.1nA2309V10.5nA2.6nA75.2mohm額定電壓1200V的SICMOSFET,阻斷電壓居然到了2300V，可見余量很大最新的SCT3080KE測試結果如下，Vgsth稍有提高，阻斷電壓依然高于額定600多V，良心產品啊[圖片]IDSSBVDSSBVDSS VGSTHRDSON0.69uA1839V1885V3.354V81.1mohm0.71uA1839V1885V3.361V81.1mohmSCT3040KE測試數據IDSSBVDSSBVDSS VGSTHRDSON0.78uA1714V1764V3.527V40.4mohm0.81uA1714V1764V3.668V40.5mohm從測試結果看，RohmSICMOSFET器件的一致性都較好，電壓裕量大