各位老師：
現(xiàn)需要控制一個(gè)DC60V的總正極的通斷，就是用單片機(jī)來(lái)控制總正的通斷。處于系統(tǒng)體積的限制，不采用接觸器。
目前考慮是采用NMOS來(lái)做電子開(kāi)關(guān)。單片機(jī)發(fā)控制信號(hào)來(lái)控制MOS的通斷。具體到如何實(shí)施，請(qǐng)各位老師指點(diǎn)。
系統(tǒng)平均電流DC80A，最大會(huì)到DC100A。具體到MOS的驅(qū)動(dòng)該怎么來(lái)做呢？響應(yīng)的速度要快。MOS的驅(qū)動(dòng)該怎么來(lái)做呢？請(qǐng)推薦一下方案。
這是原理圖, 你自己刪減.....
1). Port1 產(chǎn)生一個(gè)方波, 初始值, 當(dāng)Q1_ON, 則D1對(duì)C1充電, 當(dāng)Q1_Off時(shí), C1則透過(guò)R3,D2轉(zhuǎn)移到C2
2). 輸入60V , 所以Q1,Q5 必須選擇100V耐壓, Q2,Q3 不變
3). Q1_On 週期寬度可以控制C1 充電電壓高低， R3 則是控制C1能量轉(zhuǎn)移到C2做為限電流用
4). Q3,R4,Q5為加速M(fèi)OS_OFF用, 理論上可以利用Port 產(chǎn)生方波後電壓自舉控制MOS_ON, 當(dāng)沒(méi)電實(shí)例用電阻使MOS_OFF即可, 但這與
MOS_Ciss有關(guān), 你可以適度改變或刪除, 以節(jié)省空間....
