上面兩圖分別是IGBT驅動的一張原理圖和其中三極管的一張參數圖.pdf是三極管的詳細參數.
如圖中所示,IGBT的發射極電壓是由26V經C1,C2,R2,R3分壓得到,大約為10V.這樣,當芯片有脈沖輸出時,芯片輸出脈沖電壓為26V-0.3V=25.7V,三極管輸出電壓為25.7V-0.7V=25V,柵-發射極之間電壓為25V-10V=15V;芯片無脈沖輸出時,芯片輸出脈沖電壓為0.3V,三極管輸出電壓為0V,柵-發射極之間電壓為0V-10V=-10V.
現在問題有二:
一`芯片最大輸出電流為0.4A,三極管ZDT6790的上管最大持續輸出電流為2A(應該也就是上管的飽和電流).此時三極管應該是處于放大區(發射結正偏,集電結反偏).假如此時芯片輸出脈沖電流為0.4A(也就是三極管的基極電流,下管此時截止),那么此時三極管的輸出電流是多少?
二`C1,C2,R2,R3中的R2,R3是否可以去掉?個人理解,此時R2,R3是起主導的分壓作用,C1,C2只是穩定R2,R3的電壓而已,并不是一般所說的R2,R3是C1,C2的平衡電阻.
三`假如將R2,R3加大,是否就會形成一般的C1,C2的平衡電阻?那此時柵極的電壓是否還是先前的26V*2/(2+3.3)=10V:還是26V*(C1+C2)=U*C2,U=26V/2=13V?

請各位不勝賜教,謝謝,順祝中秋快樂!!! 147491221015487.pdf