采用半橋電路?2.6KW 功率很小啊,應(yīng)該不會(huì)有什么問題呀.

選飽和壓降低的,動(dòng)態(tài)快關(guān)損耗低的IGBT,一般參數(shù)給是靜態(tài)開關(guān)損耗,適合于硬開關(guān).SPT/PT芯片.

樓上都是代理什么型號的IGBT

設(shè)計(jì)的電路散熱面積不夠,再加上風(fēng)扇,還有就是你選擇的單管壓降太高.

現(xiàn)在仍使用單管工作,選用大散熱片,把IGBT溫升降低后,但因散熱片過大,擋住大部分風(fēng)道,使濾波電感的溫升又過高了

你用的單管帶續(xù)流二極管嗎?

為節(jié)約成本先用單管做,因?yàn)殡pIGBT并聯(lián)的方式好象對IGBT降溫幫助不大,不過這種單管方式,以前做2200W,IGBT溫升都很高了,2600W使用430鍋上2600W,可能都是極限工作了,所以使用很大的散熱片,溫度都在85度多.

你這樣做是降不了什么成本的呀!溫升高,搞不了多久燒了,還要維修,而且牌子也臭 了!

單管最多能可靠做2000W左右.再大就沒有什么意義了.2600W采用半橋應(yīng)該很好做.

同意此觀點(diǎn).
我們用單管做的電磁加熱裝置,功率做到2.4KW就是極限了,再增大功率要么峰值電壓太高,要么峰值電流太大,IGBT發(fā)熱量也大,從成本從可靠性等方面來看都不是很有意義了.

換上這個(gè)1200V炭化硅二極管, IGBT 開關(guān)損耗可減半.1131093653.pdf

帖子時(shí)間這么長了,還是有人看見.

請教一下,這個(gè)80℃是怎么設(shè)置的?有什么依據(jù)非得設(shè)置在80℃?