我最近采用PT4107做非隔離的日光燈電源做驅動,電感用的是4.2MH.頻率設置用的是560K的電阻,MOS管用的是IRF840 DIP的,但是溫升很大.哪位可以提一下意見解決一下問題.
謝謝
LED日光燈驅動,MOS發熱大.
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不是IC問題,請問一下哥們做的是什么參數啊.
如MOS發熱有幾重原因,1,你做的日光燈的輸出電流比較大,使用的MOS管的導通電阻也大導致管的損耗大 發熱比較明顯.
建議換RD比較小的MOS管,還有電感的尺寸也會影響效率,MOS管發熱,建議用尺寸大一點EFD15.
2,功率管的功耗分成兩部分,開關損耗和導通損耗.要注意,大多數場合特別是LED市電驅動應用,開關損害要遠大于導通損耗.開關損耗與功率管的cgd和cgs以及芯片的驅動能力和工作頻率有關,所以要解決功率管的發熱可以可以從以下幾個方面解決:a:不能片面根據導通電阻大小來選擇MOS功率管,因為內阻越小,cgs和cgd電容越大.如1N60的cgs為250pF左右,2N60的cgs為350pF左右,5N60的cgs為1200pF左右,差別太大了,選擇功率管時,夠用就可以了.b:剩下的就是頻率和芯片驅動能力了,這里只談頻率的影響.頻率與導通損耗也成正比,所以功率管發熱時,首先要想想是不是頻率選擇的有點高.想辦法降低頻率吧!不過要注意,當頻率降低時,為了得到相同的負載能力,峰值電流必然要變大或者電感也變大,這都有可能導致電感進入飽和區域.如果電感飽和電流夠大,可以考慮將CCM(連續電流模式)改變成DCM(非連續電流模式),這樣就需要增加一個負載電容了.
如有請聯系我,13651711805
可以提供支持,并可提供PT4107芯片
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2,功率管的功耗分成兩部分,開關損耗和導通損耗.要注意,大多數場合特別是LED市電驅動應用,開關損害要遠大于導通損耗.開關損耗與功率管的cgd和cgs以及芯片的驅動能力和工作頻率有關,所以要解決功率管的發熱可以可以從以下幾個方面解決:a:不能片面根據導通電阻大小來選擇MOS功率管,因為內阻越小,cgs和cgd電容越大.如1N60的cgs為250pF左右,2N60的cgs為350pF左右,5N60的cgs為1200pF左右,差別太大了,選擇功率管時,夠用就可以了.b:剩下的就是頻率和芯片驅動能力了,這里只談頻率的影響.頻率與導通損耗也成正比,所以功率管發熱時,首先要想想是不是頻率選擇的有點高.想辦法降低頻率吧!不過要注意,當頻率降低時,為了得到相同的負載能力,峰值電流必然要變大或者電感也變大,這都有可能導致電感進入飽和區域.如果電感飽和電流夠大,可以考慮將CCM(連續電流模式)改變成DCM(非連續電流模式),這樣就需要增加一個負載電容了.
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