ledpower05：
不是IC問題,請問一下哥們做的是什么參數(shù)啊.如MOS發(fā)熱有幾重原因,1,你做的日光燈的輸出電流比較大,使用的MOS管的導通電阻也大導致管的損耗大發(fā)熱比較明顯.建議換RD比較小的MOS管,還有電感的尺寸也會影響效率,MOS管發(fā)熱,建議用尺寸大一點EFD15.2,功率管的功耗分成兩部分,開關損耗和導通損耗.要注意,大多數(shù)場合特別是LED市電驅動應用,開關損害要遠大于導通損耗.開關損耗與功率管的cgd和cgs以及芯片的驅動能力和工作頻率有關,所以要解決功率管的發(fā)熱可以可以從以下幾個方面解決:a:不能片面根據(jù)導通電阻大小來選擇MOS功率管,因為內阻越小,cgs和cgd電容越大.如1N60的cgs為250pF左右,2N60的cgs為350pF左右,5N60的cgs為1200pF左右,差別太大了,選擇功率管時,夠用就可以了.b:剩下的就是頻率和芯片驅動能力了,這里只談頻率的影響.頻率與導通損耗也成正比,所以功率管發(fā)熱時,首先要想想是不是頻率選擇的有點高.想辦法降低頻率吧!不過要注意,當頻率降低時,為了得到相同的負載能力,峰值電流必然要變大或者電感也變大,這都有可能導致電感進入飽和區(qū)域.如果電感飽和電流夠大,可以考慮將CCM(連續(xù)電流模式)改變成DCM(非連續(xù)電流模式),這樣就需要增加一個負載電容了.如有請聯(lián)系我,13651711805可以提供支持,并可提供PT4107芯片