我都沒看過MOS管的G極波形,估計(jì)你那波形是不是這樣的,在第一個尖峰時導(dǎo)通,MOS管的漏極電壓下跌,這個電壓通過G-D間電容拉下G極電壓.密勒效應(yīng)? 至少這波形看來不象震蕩.

米勒效應(yīng),把驅(qū)動電路貼上來.

,我們公司的所做的38**正激電源和你的G極波形是一樣的,沒有出現(xiàn)過什麼問題,應(yīng)是MOS等效輸入電容,輸入電感,造成的,,,在前沿由于電感的作用,電流不能突變電壓先上升,然后電感電容構(gòu)成的回路中有了電流,對電容充電造成電壓下跌,充電完成波形上升.
二次側(cè)整流器Trr(TRR造成高頻RIPPLE反*到一次造成波上沖與下沖過大,整機(jī)pcblayout,mos上串接的CORE對此波形也有影響.
請不同見解者發(fā)表意見,請不同見解者發(fā)表意見

在G極前串一幾~幾十歐電阻試試.

這個波形是正常的,如果不是這樣,反而奇怪

是MOS管的寄生電容引起的吧
菜鳥瞎說!

沒有講到點(diǎn)子上.
是MOS管密勒電容引起的密勒效應(yīng),MOS管密勒電容就是G、D間的電容.

具體形怎麼形成的,你說一下具體的過程?

敢情是老師在考我呀.
MOS導(dǎo)通瞬間,由于D、S近似短路,G、D間電容可看作變成G、S間電容,G極驅(qū)動電路立刻對其進(jìn)行充電,這樣就產(chǎn)生了驅(qū)動電壓振蕩現(xiàn)象.

這個現(xiàn)象是正常的,可以改變G極電阻來減小門極的這個米勒現(xiàn)象,你試試看

我試過改變門極的串聯(lián)電阻,但不加電阻和加一個80歐的電阻波形沒什么變化

驅(qū)動電路就是普通的IC輸出,門極串一個電阻,MOSFET的GS間有一個保護(hù)穩(wěn)壓管,S上套一個鐵氧體磁環(huán),DS之間有一個Snubber電容.
我把門極的電阻去掉,波形沒什么變化,把穩(wěn)壓管去掉波形也沒有什么變化.
去掉磁環(huán)后,波形振蕩變小了,明天我把這個變化過的波形貼上來.

那請問有什么好的方法去除這個現(xiàn)象嗎??謝謝

加電源群咯:7184515  專門問一下做mos 的FAE不就可以了!!

這個G波是正常的,我們公司的38**+9N90C的MOS做正激電源都是這樣的波形

你做的電源功率有多大?貼一些技術(shù)指標(biāo)上來.

你的這個機(jī)子如沒有其它的問題,這個波形是正常的.
如果有什麼其它的問題請你講出來.

將這個啟動電阻在加大些看看應(yīng)該能看到如下的米勒平臺阿500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/36/1134828632.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
我還想問一下你的mosfet是什么型號的阿

但一般這種震蕩不會很明顯阿這與啟動電阻和mosfet的Cgd有關(guān)阿.

雖說密勒現(xiàn)象是不能完全消除的,但也與你驅(qū)動電路能力,所用MOSFET具體型號有一定關(guān)系.如果MOSFET的CGD小,驅(qū)動電路能力強(qiáng)(不直接用控制芯片驅(qū)動),那么密勒現(xiàn)象就不那么明顯.

那你再加大電阻沒?電阻大了開通速度應(yīng)該變慢了,怎么會沒區(qū)別的呢

很好啊,雖然不能消除但我們可以減小嗎

可以減小的

關(guān)注ing...