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關(guān)于半橋電路IGBT電壓和電流

大家看一下我的半橋電路下半橋臂IGBT電壓和電流波形,提一下意見

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全部回復(fù)(22)
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2011-07-29 22:11

1.實際震蕩頻率為14.28KHZ,驅(qū)動頻率為14.4KHz,工作在微感性區(qū),電壓與電流的相位差幾乎已經(jīng)看不出來了;

2.死區(qū)時間為3us,是不是有點長了,可不可以這樣認(rèn)為,死區(qū)時間越長,二極管續(xù)流的時間就越長,經(jīng)CE電容濾波后Vce波形的T型斜坡就越緩呢,這樣開關(guān)損耗會增加吧?

3.在開機的時候,整機會發(fā)出微弱的震動聲音,這正常嗎?

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2011-07-30 10:53
@liningustb
1.實際震蕩頻率為14.28KHZ,驅(qū)動頻率為14.4KHz,工作在微感性區(qū),電壓與電流的相位差幾乎已經(jīng)看不出來了;2.死區(qū)時間為3us,是不是有點長了,可不可以這樣認(rèn)為,死區(qū)時間越長,二極管續(xù)流的時間就越長,經(jīng)CE電容濾波后Vce波形的T型斜坡就越緩呢,這樣開關(guān)損耗會增加吧?3.在開機的時候,整機會發(fā)出微弱的震動聲音,這正常嗎?

頻率14K了,人肯定會聽到聲音的,死區(qū)大和VCE波形的斜坡沒什么必然聯(lián)系,斜坡應(yīng)該靠LC諧振參數(shù)和RC的吸收來實現(xiàn)的

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2011-07-30 11:09

1、從波形中,我認(rèn)為是工作在硬開通狀態(tài);

2、支持3樓兄弟的說法;

3、VCE波形的斜坡還與續(xù)流二極管有關(guān),只是質(zhì)量好的IGBT內(nèi)部的續(xù)流二極管一般都較好罷了。

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yhxxm60
LV.5
5
2011-07-30 11:23
你能把測量點說清楚嗎? 【半橋電路下半橋臂IGBT電壓和電流波形】
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yhxxm60
LV.5
6
2011-07-30 11:35
@yhxxm60
你能把測量點說清楚嗎?【半橋電路下半橋臂IGBT電壓和電流波形】
 電壓接在AB  電流接在C [C 是電流互感器】嗎?
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2011-07-30 13:37
@yhxxm60
你能把測量點說清楚嗎?【半橋電路下半橋臂IGBT電壓和電流波形】

測量點:電壓是下半橋臂IGBT的Vce電壓通過取樣電阻測得的,不是AB兩點,電流是在諧振線圈上加互感器測得的,就是像C那樣。

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2011-07-30 13:48
@十年不鳴
1、從波形中,我認(rèn)為是工作在硬開通狀態(tài);2、支持3樓兄弟的說法;3、VCE波形的斜坡還與續(xù)流二極管有關(guān),只是質(zhì)量好的IGBT內(nèi)部的續(xù)流二極管一般都較好罷了。
確實是硬開通的,這是下半橋臂的波形,就是IGBT電壓為低的時候是開通的,電流是下半周期。怎么看出是硬開通的呢,在開通之前的下降斜坡中有一部分是二極管續(xù)流形成的,此時IGBT電壓很低時導(dǎo)通,充電完成電流換向時IGBT已經(jīng)打開了,怎么是硬開通呢,應(yīng)該是零電壓導(dǎo)通吧
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2011-07-30 22:59
@liningustb
確實是硬開通的,這是下半橋臂的波形,就是IGBT電壓為低的時候是開通的,電流是下半周期。怎么看出是硬開通的呢,在開通之前的下降斜坡中有一部分是二極管續(xù)流形成的,此時IGBT電壓很低時導(dǎo)通,充電完成電流換向時IGBT已經(jīng)打開了,怎么是硬開通呢,應(yīng)該是零電壓導(dǎo)通吧

從圖中可看出:

1、  在開通之前的UCE75%的下降是二極管續(xù)流形成的;

2、  UCE下降至約25%時,下管已開通,電荷通過開通的下管強行放電至零電壓;

3、  從電流波形換向時的毛刺也可看出工作在硬開通狀態(tài)。

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liningustb
LV.3
10
2011-07-31 13:05
@十年不鳴
從圖中可看出:1、 在開通之前的UCE約75%的下降是二極管續(xù)流形成的;2、 UCE下降至約25%時,下管已開通,電荷通過開通的下管強行放電至零電壓;3、 從電流波形換向時的毛刺也可看出工作在硬開通狀態(tài)。

恩,是這樣的,很有道理

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liningustb
LV.3
11
2011-07-31 15:17
@十年不鳴
從圖中可看出:1、 在開通之前的UCE約75%的下降是二極管續(xù)流形成的;2、 UCE下降至約25%時,下管已開通,電荷通過開通的下管強行放電至零電壓;3、 從電流波形換向時的毛刺也可看出工作在硬開通狀態(tài)。

還有一事不明,就是功率的問題一直搞不明白,對于半橋結(jié)構(gòu)來說,功率是如何計算的,對于從線圈上測出來的電流,整流后母線的電流只有該電流大小的一半吧,是不是P= U*I/2呢,U為母線電壓有效值,I為諧振電流有效值。相應(yīng)的資料很少,看別的帖子說的很模糊

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liningustb
LV.3
12
2011-07-31 15:26
@yhxxm60
[圖片] 電壓接在AB 電流接在C[C是電流互感器】嗎?

像這樣的結(jié)構(gòu),現(xiàn)在的問題IGBT導(dǎo)通時候的管壓降非常高,有5-6V,不知道是為什么。IGBT是60N100,驅(qū)動電壓+15V,-5V,門級電阻為15歐,手冊上說當(dāng)IGBT電流達(dá)到60A的時候,管壓降也不過3V,我的電流大小測量可能有點問題,但是絕對超不過這個值,還能有什么原因呢。以前電流是用手持是交流鉗測的,大概諧振電流也就十幾安,但是我按電流互感器換算的電流有四十安,還不知道是什么原因造成的,但是無論怎樣管壓降都不該這么大的,IGBT發(fā)熱嚴(yán)重。

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4205250873
LV.5
13
2011-07-31 18:16
@liningustb
測量點:電壓是下半橋臂IGBT的Vce電壓通過取樣電阻測得的,不是AB兩點,電流是在諧振線圈上加互感器測得的,就是像C那樣。
你用的是不是陶瓷片絕緣 還是散熱器太小了或者吸收電容是不是太小了
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liningustb
LV.3
14
2011-07-31 18:55
@4205250873
你用的是不是陶瓷片絕緣還是散熱器太小了或者吸收電容是不是太小了

散熱器很大,就是IGBT開通電壓太高,RC吸收,R為51歐,C為40nf,我實驗時再加大C沒什么明顯效果。

  

上面1通道的波形是CE端加了一個二極管測得的波形,就是當(dāng)電壓為低的時候,IGBT導(dǎo)通,沒加RC吸收之前有很大的毛刺,加了吸收以后毛刺變小,但是導(dǎo)通壓降達(dá)到5-6V,似乎沒有減小。

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liningustb
LV.3
15
2011-07-31 21:09
@liningustb
還有一事不明,就是功率的問題一直搞不明白,對于半橋結(jié)構(gòu)來說,功率是如何計算的,對于從線圈上測出來的電流,整流后母線的電流只有該電流大小的一半吧,是不是P=U*I/2呢,U為母線電壓有效值,I為諧振電流有效值。相應(yīng)的資料很少,看別的帖子說的很模糊
  
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2011-07-31 22:11
@liningustb
散熱器很大,就是IGBT開通電壓太高,RC吸收,R為51歐,C為40nf,我實驗時再加大C沒什么明顯效果。[圖片]  上面1通道的波形是CE端加了一個二極管測得的波形,就是當(dāng)電壓為低的時候,IGBT導(dǎo)通,沒加RC吸收之前有很大的毛刺,加了吸收以后毛刺變小,但是導(dǎo)通壓降達(dá)到5-6V,似乎沒有減小。

1、  開通壓降高估計是沒進(jìn)入深飽和狀態(tài),建議檢查驅(qū)動電路;

2、  把開通壓降降下來并做到零電壓開通,IGBT的發(fā)熱量自然會小很多。

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2011-07-31 23:41
@liningustb
[圖片] [圖片] 

1、  母線電壓和母線電流的計算方法是對的;

2、在半橋電路中,  線盤電壓的有效值是母線電壓的一半,且實際工作中必須有死區(qū)時間,故線盤電流的有效值是母線電流的2倍多一點。

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liningustb
LV.3
18
2011-08-01 09:03
@十年不鳴
1、 母線電壓和母線電流的計算方法是對的;2、在半橋電路中, 線盤電壓的有效值是母線電壓的一半,且實際工作中必須有死區(qū)時間,故線盤電流的有效值是母線電流的2倍多一點。
IGBT的瞬時電流竟能達(dá)到I*1.414=59A,現(xiàn)在終于明白為什么我的60N100總因為過熱而燒毀了!
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liningustb
LV.3
19
2011-08-01 09:24
大家說怎樣減少開通損耗呢,軟開通是不是得引入而外的感性元件啊,這樣是不是會產(chǎn)生尖峰電壓了。
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2011-08-01 18:43
@liningustb
大家說怎樣減少開通損耗呢,軟開通是不是得引入而外的感性元件啊,這樣是不是會產(chǎn)生尖峰電壓了。
把參數(shù)調(diào)好,做到零電壓開通,則開通損耗已很小了,尖峰電壓也很小。5KW的半橋用不著專門的軟開關(guān)電路。
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左明
LV.8
21
2011-08-10 18:13
高導(dǎo)熱陶瓷墊片,導(dǎo)熱系數(shù)達(dá)24W/M,K,耐壓10KV以上,比矽膠片導(dǎo)熱絕緣好得多,是IGBT管最佳導(dǎo)熱絕緣配套產(chǎn)品,可以提供樣品測試,東莞長安左明QQ:413700881,如果需要提供樣品測試,麻煩提供詳細(xì)聯(lián)系方式到我郵箱:bush.wan-001@163.com, 謝謝
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yhxxm60
LV.5
22
2011-08-10 18:33
@左明
高導(dǎo)熱陶瓷墊片,導(dǎo)熱系數(shù)達(dá)24W/M,K,耐壓10KV以上,比矽膠片導(dǎo)熱絕緣好得多,是IGBT管最佳導(dǎo)熱絕緣配套產(chǎn)品,可以提供樣品測試,東莞長安左明QQ:413700881,如果需要提供樣品測試,麻煩提供詳細(xì)聯(lián)系方式到我郵箱:bush.wan-001@163.com,謝謝

根據(jù)論壇規(guī)定  你這樣的帖是屬于廣告范疇  【有電話 有鏈接】 要禁止的,

希望以后不要再這樣了

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hero0765
LV.4
23
2014-12-16 08:28
@liningustb
[圖片] [圖片] 
詳細(xì)明了
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