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請(qǐng)教各位有經(jīng)驗(yàn)人士,反激變壓器的發(fā)熱問(wèn)題~~~

請(qǐng)問(wèn)一般反激變壓器的安全溫度在多高以下比較合適?

我做的一個(gè)UC3842的反激電源,變壓器參數(shù)如下:

輸入電壓為198V,輸出24VN1N2=33:4,開(kāi)關(guān)頻率F=61.77Khz。功率65W

這個(gè)頻率會(huì)不會(huì)太高,請(qǐng)問(wèn)在這個(gè)功率和電壓條件下開(kāi)關(guān)頻率多高比較合適?

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李益
LV.2
2
2011-10-26 00:40

反激class B的話(huà)都是120度以下,一般做到110度以下

頻率算比較合適,55K到75K的頻率都可以,主要還是要看你的開(kāi)關(guān)管的VDS波形

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小凡凡
LV.7
3
2011-10-26 00:42

 

 

 

 

 

 

溫升限制:

 

 

 

 

 

 

60,或者最高溫度小于 90  (磁性元件)

 

 

 

 

60,或者最高溫度小于100   (半導(dǎo)體)

30,或者最高溫度小于 60  (電解電容)

1、頻率60-70KHZ剛好合適;

2、匝數(shù)比高了,盡量采用600V的MOS管,4N60、8N60都可以,輸出采用150-200V的肖特基二極管,UOR取100-120V較合適(控制好漏感,至少在1.5%以下);

3、不要設(shè)計(jì)在DCM模式,電感量也不要太大,KRP盡量控制在0.7-1.0;

4、NP=33T,不知磁芯多少?例:如果是采用EER2828,33T則明顯過(guò)低。

 

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2011-10-26 11:39
@小凡凡
      溫升限制:      ≤60℃,或者最高溫度小于90℃ (磁性元件)    ≤60℃,或者最高溫度小于100℃  (半導(dǎo)體)≤30℃,或者最高溫度小于60℃ (電解電容)1、頻率60-70KHZ剛好合適;2、匝數(shù)比高了,盡量采用600V的MOS管,4N60、8N60都可以,輸出采用150-200V的肖特基二極管,UOR取100-120V較合適(控制好漏感,至少在1.5%以下);3、不要設(shè)計(jì)在DCM模式,電感量也不要太大,KRP盡量控制在0.7-1.0;4、NP=33T,不知磁芯多少?例:如果是采用EER2828,33T則明顯過(guò)低。 
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cheng111
LV.11
5
2011-10-26 13:52
@小凡凡
      溫升限制:      ≤60℃,或者最高溫度小于90℃ (磁性元件)    ≤60℃,或者最高溫度小于100℃  (半導(dǎo)體)≤30℃,或者最高溫度小于60℃ (電解電容)1、頻率60-70KHZ剛好合適;2、匝數(shù)比高了,盡量采用600V的MOS管,4N60、8N60都可以,輸出采用150-200V的肖特基二極管,UOR取100-120V較合適(控制好漏感,至少在1.5%以下);3、不要設(shè)計(jì)在DCM模式,電感量也不要太大,KRP盡量控制在0.7-1.0;4、NP=33T,不知磁芯多少?例:如果是采用EER2828,33T則明顯過(guò)低。 
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2011-10-26 21:27
@小凡凡
      溫升限制:      ≤60℃,或者最高溫度小于90℃ (磁性元件)    ≤60℃,或者最高溫度小于100℃  (半導(dǎo)體)≤30℃,或者最高溫度小于60℃ (電解電容)1、頻率60-70KHZ剛好合適;2、匝數(shù)比高了,盡量采用600V的MOS管,4N60、8N60都可以,輸出采用150-200V的肖特基二極管,UOR取100-120V較合適(控制好漏感,至少在1.5%以下);3、不要設(shè)計(jì)在DCM模式,電感量也不要太大,KRP盡量控制在0.7-1.0;4、NP=33T,不知磁芯多少?例:如果是采用EER2828,33T則明顯過(guò)低。 

  太感謝了!  MOS管和二極管的耐壓我都按最?lèi)毫忧闆r的20%裕度考慮了下。

NP和NS我還只是確定了一個(gè)匝數(shù)比,具體匝數(shù)沒(méi)計(jì)算,準(zhǔn)備去那邊制造變壓器的人咨詢(xún)一下,主要是怕開(kāi)關(guān)頻率取得不合適。謝謝了~

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zengtx
LV.6
7
2011-10-27 14:33
@小凡凡
      溫升限制:      ≤60℃,或者最高溫度小于90℃ (磁性元件)    ≤60℃,或者最高溫度小于100℃  (半導(dǎo)體)≤30℃,或者最高溫度小于60℃ (電解電容)1、頻率60-70KHZ剛好合適;2、匝數(shù)比高了,盡量采用600V的MOS管,4N60、8N60都可以,輸出采用150-200V的肖特基二極管,UOR取100-120V較合適(控制好漏感,至少在1.5%以下);3、不要設(shè)計(jì)在DCM模式,電感量也不要太大,KRP盡量控制在0.7-1.0;4、NP=33T,不知磁芯多少?例:如果是采用EER2828,33T則明顯過(guò)低。 
學(xué)習(xí)了
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