我看到過很多文章,都是介紹場效應管優點的,但在實際電路中用bjt時候很多,用fet卻很少。除了價格原因,我想還會有其它原因。否則IGBT就不會把fet 和bjt結合來使用了。
上面的電路中通常都是用BJT.那可能就是BJT優點所在吧。
請各位明白人講解一下。
1、驅動電壓不同;
2、種類及采購;
3、價格;
4、放大倍數及某些性能;
BJT還沒有被淘汰,價格并不是主要因素.能不能性能發面說的在多一些啊。樓上各位啊。
很多人都愿意分析比較大電路。倒不如回歸本位把最簡單的三極管,電容,電感的特性好好分析一下。當你分析明白的時候就會發現什么難的回路都不在話下了。
三極管與場效應管比優點主要是:
1.飽和電壓低;
2.跨導大。
其實q4那種電路圖隨便畫bjt或是mos
很多人以前畫bjt畫習慣了,所以一般畫成bjt,有些畫mos畫習慣的用bjt也會畫成mos
mos導通壓降沒幾V
在低壓,比如電腦主板電源
輸出50A 1.1V的電源
mos是導通電阻,可以選用0.001歐導通電阻的mos上面只有0.05V壓降,
而bjt 0.8V導通壓降,總共輸出電壓才1.1V
效率會下降很多
高壓mos導通電阻約幾歐,電流1A時導通壓降確實要幾V,比同樣耐壓的bjt高很多。
那要看你用的什么型號
我還沒用過導通電阻幾歐姆的高壓mos
irf840也才0.85歐
高壓大電流也不會用bjt,用igbt
irf840電流8A,導通壓降=8*0.85=6.8V
電流1A左右的高壓mos,導通電阻幾歐,導通壓降幾V。
照明電源,最適用的仍然是bjt。
irf840不會用在8A的場合,8A是極限的電流
這個一般用于1A以下
有些0.1A的臺燈就用的irf840的類似器件
6.8V是irf840的極限導通壓降,8A的器件至少應工作在峰值電流2~3A的場合,導通壓降為0.85*2=1.7V~0.85*3=2.55V。
峰值電流1A以下用3A的器件即可,0.1A可用0.3A的器件。
電流越小的高壓mos導通電阻越大,為了降低導通電阻選用更大電流的高壓mos從成本考慮不可取。
唉,
松下11W的臺燈就是用的8A額定電流的mos
另外,mos的安全工作區比較大,bjt比較小,mos導通電阻正溫度系數,bjt導通壓降負溫度系數
“松下11W的臺燈就是用的8A額定電流的mos“
這就是既要用mos,又要降低導通壓降的結果:大馬拉小車。
其實用很小的bjt就能達到同樣的效果。
安全工作區與成本聯系起來才有意義,因為總能選取電壓電流足夠大的管子滿足所要求的安全工作區。應該比較有同樣安全工作區的兩者成本。
導通壓降負溫度系數,溫度愈高,損耗愈小。
導通電阻正溫度系數,溫度愈高,損耗愈大,可能惡性循環。
那為什么這么多地方用高壓mos而不是高壓bjt?有沒有考慮BJT開關速度?
另外bjt是電流驅動
正溫度系數的mos不容易熱失控
我同意你的說法
高壓mos比bjt的優點不是導通壓降,而是輸入端與集成電路的匹配。
mos由于內部相當于多個并聯,為了各部分溫度趨于均衡,導通電阻正溫度系數是必須的。但是從總體溫度特性而言,損耗為正溫度系數的器件不如損耗為負溫度系數的器件。
驅動方式不一樣 功率頻率特性不一樣