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請教一個簡單的問題:三極管與場效應管比有什么優點。

我看到過很多文章,都是介紹場效應管優點的,但在實際電路中用bjt時候很多,用fet卻很少。除了價格原因,我想還會有其它原因。否則IGBT就不會把fet 和bjt結合來使用了。

 

 

上面的電路中通常都是用BJT.那可能就是BJT優點所在吧。

請各位明白人講解一下。

 

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2012-01-13 10:29
價格是主要原因
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小凡凡
LV.7
3
2012-01-13 10:30

1、驅動電壓不同;

2、種類及采購;

3、價格;

4、放大倍數及某些性能;

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2012-01-13 10:32
@wltxiaozhong
價格是主要原因
Q4如果用FET功耗會大
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2012-01-13 10:38
@小凡凡
1、驅動電壓不同;2、種類及采購;3、價格;4、放大倍數及某些性能;
我實際搭建類似的電路發現BJT在信號電壓低導通電流大的情況下,BJT的功耗還是比較低。
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2012-01-13 10:42
@jeffery2012
我實際搭建類似的電路發現BJT在信號電壓低導通電流大的情況下,BJT的功耗還是比較低。

BJT還沒有被淘汰,價格并不是主要因素.能不能性能發面說的在多一些啊。樓上各位啊。

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小凡凡
LV.7
7
2012-01-13 10:45
@jeffery2012
BJT還沒有被淘汰,價格并不是主要因素.能不能性能發面說的在多一些啊。樓上各位啊。
一兩段話,根本講不明白
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2012-01-13 10:53
@小凡凡
一兩段話,根本講不明白

很多人都愿意分析比較大電路。倒不如回歸本位把最簡單的三極管,電容,電感的特性好好分析一下。當你分析明白的時候就會發現什么難的回路都不在話下了。

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yu_ying
LV.5
9
2012-01-13 11:18

三極管與場效應管比優點主要是:

1.飽和電壓低;

2.跨導大。

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jeffery2012
LV.5
10
2012-01-13 11:27
@yu_ying
三極管與場效應管比優點主要是:1.飽和電壓低;2.跨導大。
謝謝了。
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2012-01-13 17:36
@jeffery2012
BJT還沒有被淘汰,價格并不是主要因素.能不能性能發面說的在多一些啊。樓上各位啊。
1)低開關速度使得EMI與紋波小。
2)導通壓降三極管在0.8V左右,MOS要幾V,低壓輸入需要加自舉電路升高驅動電壓,電流較大而開關速度較慢時三極管損耗小很多。
3)在都能用的情況下,多數公司還是會首選三極管,之所以沒被淘汰,我覺得主要還是因為價格。
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renshi_789
LV.8
12
2012-01-15 12:15
關注!
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ssawee
LV.4
13
2012-01-18 21:37
@renshi_789
關注!

其實q4那種電路圖隨便畫bjt或是mos

很多人以前畫bjt畫習慣了,所以一般畫成bjt,有些畫mos畫習慣的用bjt也會畫成mos

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ssawee
LV.4
14
2012-01-20 17:39
@wltxiaozhong
1)低開關速度使得EMI與紋波小。2)導通壓降三極管在0.8V左右,MOS要幾V,低壓輸入需要加自舉電路升高驅動電壓,電流較大而開關速度較慢時三極管損耗小很多。3)在都能用的情況下,多數公司還是會首選三極管,之所以沒被淘汰,我覺得主要還是因為價格。

mos導通壓降沒幾V

在低壓,比如電腦主板電源

輸出50A  1.1V的電源

mos是導通電阻,可以選用0.001歐導通電阻的mos上面只有0.05V壓降,

而bjt 0.8V導通壓降,總共輸出電壓才1.1V

效率會下降很多

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bg4mzg
LV.2
15
2012-01-27 20:42
一兩段話,根本講不明白
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yu_ying
LV.5
16
2012-01-28 11:27
@ssawee
mos導通壓降沒幾V在低壓,比如電腦主板電源輸出50A 1.1V的電源mos是導通電阻,可以選用0.001歐導通電阻的mos上面只有0.05V壓降,而bjt0.8V導通壓降,總共輸出電壓才1.1V效率會下降很多

高壓mos導通電阻約幾歐,電流1A時導通壓降確實要幾V,比同樣耐壓的bjt高很多。

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ssawee
LV.4
17
2012-01-28 14:57
@yu_ying
高壓mos導通電阻約幾歐,電流1A時導通壓降確實要幾V,比同樣耐壓的bjt高很多。

那要看你用的什么型號


我還沒用過導通電阻幾歐姆的高壓mos


irf840也才0.85歐


高壓大電流也不會用bjt,用igbt

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yu_ying
LV.5
18
2012-01-28 16:35
@ssawee
那要看你用的什么型號我還沒用過導通電阻幾歐姆的高壓mosirf840也才0.85歐高壓大電流也不會用bjt,用igbt

irf840電流8A,導通壓降=8*0.85=6.8V

電流1A左右的高壓mos,導通電阻幾歐,導通壓降幾V。

照明電源,最適用的仍然是bjt。

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ssawee
LV.4
19
2012-01-28 22:40
@yu_ying
irf840電流8A,導通壓降=8*0.85=6.8V電流1A左右的高壓mos,導通電阻幾歐,導通壓降幾V。照明電源,最適用的仍然是bjt。

irf840不會用在8A的場合,8A是極限的電流

這個一般用于1A以下

有些0.1A的臺燈就用的irf840的類似器件

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yu_ying
LV.5
20
2012-01-29 11:35
@ssawee
irf840不會用在8A的場合,8A是極限的電流這個一般用于1A以下有些0.1A的臺燈就用的irf840的類似器件

6.8V是irf840的極限導通壓降,8A的器件至少應工作在峰值電流2~3A的場合,導通壓降為0.85*2=1.7V~0.85*3=2.55V。

峰值電流1A以下用3A的器件即可,0.1A可用0.3A的器件。

電流越小的高壓mos導通電阻越大,為了降低導通電阻選用更大電流的高壓mos從成本考慮不可取。

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ssawee
LV.4
21
2012-01-29 17:16
@yu_ying
6.8V是irf840的極限導通壓降,8A的器件至少應工作在峰值電流2~3A的場合,導通壓降為0.85*2=1.7V~0.85*3=2.55V。峰值電流1A以下用3A的器件即可,0.1A可用0.3A的器件。電流越小的高壓mos導通電阻越大,為了降低導通電阻選用更大電流的高壓mos從成本考慮不可取。

唉,

松下11W的臺燈就是用的8A額定電流的mos


另外,mos的安全工作區比較大,bjt比較小,mos導通電阻正溫度系數,bjt導通壓降負溫度系數

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yu_ying
LV.5
22
2012-01-30 10:37
@ssawee
唉,松下11W的臺燈就是用的8A額定電流的mos另外,mos的安全工作區比較大,bjt比較小,mos導通電阻正溫度系數,bjt導通壓降負溫度系數

“松下11W的臺燈就是用的8A額定電流的mos“

這就是既要用mos,又要降低導通壓降的結果:大馬拉小車。

其實用很小的bjt就能達到同樣的效果。

安全工作區與成本聯系起來才有意義,因為總能選取電壓電流足夠大的管子滿足所要求的安全工作區。應該比較有同樣安全工作區的兩者成本。

導通壓降負溫度系數,溫度愈高,損耗愈小。

導通電阻正溫度系數,溫度愈高,損耗愈大,可能惡性循環。

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ssawee
LV.4
23
2012-01-30 10:54
@yu_ying
“松下11W的臺燈就是用的8A額定電流的mos“這就是既要用mos,又要降低導通壓降的結果:大馬拉小車。其實用很小的bjt就能達到同樣的效果。安全工作區與成本聯系起來才有意義,因為總能選取電壓電流足夠大的管子滿足所要求的安全工作區。應該比較有同樣安全工作區的兩者成本。導通壓降負溫度系數,溫度愈高,損耗愈小。導通電阻正溫度系數,溫度愈高,損耗愈大,可能惡性循環。

那為什么這么多地方用高壓mos而不是高壓bjt?有沒有考慮BJT開關速度?

另外bjt是電流驅動

正溫度系數的mos不容易熱失控

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2012-01-30 12:23
@jeffery2012
很多人都愿意分析比較大電路。倒不如回歸本位把最簡單的三極管,電容,電感的特性好好分析一下。當你分析明白的時候就會發現什么難的回路都不在話下了。

我同意你的說法

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yu_ying
LV.5
25
2012-01-30 12:23
@ssawee
那為什么這么多地方用高壓mos而不是高壓bjt?有沒有考慮BJT開關速度?另外bjt是電流驅動正溫度系數的mos不容易熱失控

高壓mos比bjt的優點不是導通壓降,而是輸入端與集成電路的匹配。

mos由于內部相當于多個并聯,為了各部分溫度趨于均衡,導通電阻正溫度系數是必須的。但是從總體溫度特性而言,損耗為正溫度系數的器件不如損耗為負溫度系數的器件。

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zhangshido
LV.5
26
2012-02-03 14:40

驅動方式不一樣 功率頻率特性不一樣

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