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變壓器的匝比以及效率問題

          最近在優化產品性能方面有點一籌莫展,就是因為在變壓器參數上不知道怎么取舍,有以下問題:

1。變壓器匝比問題,我在做12V 6A的產品的時候聽一個老師傅在說,在條件允許的情況下,匝比越小越好,至于原因嗎我還不知道,不過我試了一下還確實是那樣,之前的時候匝比是8.2,之后改為7.1效率是明顯提升了,沒有進一步試驗更小的匝比。

2。我看到有一個5V10A的反激架構產品,匝比選的是17,可是變壓器的漏感真是大,主感量380漏感就有340.可是我之前了解到的漏感公式和次級沒有關系啊。。。

 

 以上同行多發表意見,多多探討。

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gaohq
LV.8
2
2012-04-19 20:32
什么拓撲的都不講一下叫人這么說呢?
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zq2007
LV.11
3
2012-04-19 21:06
@gaohq
什么拓撲的都不講一下叫人這么說呢?

應該說的是反激。

其實匝比的變化影響很多參數。

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2012-04-20 17:33

匝比的選擇影響mos、次級diode的應力,同時也影響初次、級的圈數,圈數的多少又影響變壓器的損耗,(包括銅損、鐵損、漏感損耗)等等。

5V10A是單純的反激?沒有SR?漏感計算跟次級還是有關系的,可以去參考別人的帖子。

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2012-04-20 22:27
@gaohq
什么拓撲的都不講一下叫人這么說呢?
反激架構
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2012-04-20 22:29
@madfrog_2008
匝比的選擇影響mos、次級diode的應力,同時也影響初次、級的圈數,圈數的多少又影響變壓器的損耗,(包括銅損、鐵損、漏感損耗)等等。5V10A是單純的反激?沒有SR?漏感計算跟次級還是有關系的,可以去參考別人的帖子。
那個5V 10A的反激產品, 效率低的可憐,是有70%不到吧。
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2012-04-21 10:48
@wangbo0227
那個5V10A的反激產品,效率低的可憐,是有70%不到吧。
為什么這么說?
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278216130
LV.2
8
2012-04-21 11:02
@qinzutaim
為什么這么說?

學習

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2012-04-21 19:57
@qinzutaim
為什么這么說?
5V   10A的產品要是想過5級的話,好像是87%吧,不記得了。其實5V  10A應該反激不適合。應該正激或是半橋最好。。。
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xiaowu2
LV.2
10
2012-04-21 22:04
蔣洪濤
LV.6
11
2012-04-23 08:47
@xiaowu2
開關電源,和施耐德開關,漏電保護插頭

匝比選擇還是要試,試才出真理

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sunpeng
LV.6
12
2012-04-27 09:49

  效率和占空比成一定關系,匝比的確定要綜合考慮MOS、副邊整流管的耐壓,以及系統的穩定等。

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lz0820
LV.4
13
2012-04-27 11:35
@sunpeng
  效率和占空比成一定關系,匝比的確定要綜合考慮MOS、副邊整流管的耐壓,以及系統的穩定等。
12V的 你把匝比調到5.5的樣子 看一下 效率會更高一點
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2012-04-27 12:47
收藏。。。。研究研究。。。
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2012-04-27 12:49
會不會是因為少繞了。。。銅損下降。。然后。。。。效率就上去了???
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bigbigeasy
LV.6
16
2012-04-27 21:06
@dxsmail
會不會是因為少繞了。。。銅損下降。。然后。。。。效率就上去了???

副邊電阻

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2012-04-28 09:25
@lz0820
12V的你把匝比調到5.5的樣子看一下效率會更高一點

匝比多少與變壓器結構,MOSFET,Shokky有關

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LV.1
18
2012-04-28 10:55
@zq2007
應該說的是反激。其實匝比的變化影響很多參數。
反激架構的電源,其實N變化了,DUTY也就變化了,很多參數都變化, 在變壓器變動以后,其實以前測試的數據按說都要從來測試一遍。反激的架構主要還是平衡初級MOS和次級二級管的損耗就可以了,他們就是蹺蹺板。當這兩個管的損耗到達最優的點時,整機效率是最高點。小小體會而已。
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LV.1
19
2012-04-28 11:00
@zq2007
應該說的是反激。其實匝比的變化影響很多參數。
個人感覺反激繞做到很好,還是要多嘗試不同的變壓器繞發,和匝比,以及勵磁電感。要是PWM是采取變頻的話,還得通過勵磁電感來控制開關頻率。這一點很重要。也就是說這個變壓器的設計關鍵是LP的設計。。
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2012-04-28 12:48
這個非常有用。。。
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2012-04-28 13:29

可以改更小,注意磁心不能飽和,提高效能,減少初級匝數,減少銅損。漏感越大,反饋到初級MOS的VDS電壓越高,損耗越大,

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wangbo0227
LV.8
22
2012-04-29 00:19
@tannengshuang
可以改更小,注意磁心不能飽和,提高效能,減少初級匝數,減少銅損。漏感越大,反饋到初級MOS的VDS電壓越高,損耗越大,
好像是主感量越大越好,匝比越小,漏感相對越小。效率會好很多。。。
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liming8021
LV.5
23
2012-04-29 23:00
@wangbo0227
5V  10A的產品要是想過5級的話,好像是87%吧,不記得了。其實5V 10A應該反激不適合。應該正激或是半橋最好。。。
輸出電壓5V,效率能會到87%嗎!還真是牛啊!
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2012-05-02 17:20
@wangbo0227
好像是主感量越大越好,匝比越小,漏感相對越小。效率會好很多。。。

好像是這樣。。。。但主感量越大越容易,變壓器越容易飽和。。。。

所以要折中一點。。。。

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2012-05-02 17:57
@dxsmail
好像是這樣。。。。但主感量越大越容易,變壓器越容易飽和。。。。所以要折中一點。。。。

匝比下降。。。會使反射電壓下降。。。。反射電壓下降會使MOS管上的電壓下降,導致了MOS管的損耗降低。。。。

其結果就是開關損耗降低了。。。。我做了實驗。。。大概反射電壓設在40V。就會使其損耗降到最低點。。。。上升3~6%的效率。。。。

反射電壓低于40V時,會使電源不工作。。。。

如果MOS管有500V的管子。且導通電阻更低的管子。。。可能可以使效率再上升。。。。

我發現2N60比2N50的導通電阻還低。。。直是搞不懂。。。所以還是用2N60的管子。。。。

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LV.1
26
2012-05-02 19:27
@dxsmail
匝比下降。。。會使反射電壓下降。。。。反射電壓下降會使MOS管上的電壓下降,導致了MOS管的損耗降低。。。。其結果就是開關損耗降低了。。。。我做了實驗。。。大概反射電壓設在40V。就會使其損耗降到最低點。。。。上升3~6%的效率。。。。反射電壓低于40V時,會使電源不工作。。。。如果MOS管有500V的管子。且導通電阻更低的管子。。。可能可以使效率再上升。。。。我發現2N60比2N50的導通電阻還低。。。直是搞不懂。。。所以還是用2N60的管子。。。。

任何一種拓撲結構的電路,其效率不是單單的去減少某一個點的損耗,而是去平衡所有功率電路的平均損耗。使電路中的損耗都比較均勻才對,但是升高一個點的效率,總是有另一個點的效率會跌下來,整體的效率還是上不去 。

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wangbo0227
LV.8
27
2012-05-02 21:08
@
任何一種拓撲結構的電路,其效率不是單單的去減少某一個點的損耗,而是去平衡所有功率電路的平均損耗。使電路中的損耗都比較均勻才對,但是升高一個點的效率,總是有另一個點的效率會跌下來,整體的效率還是上不去。

如果你調整匝比產品的電路模式不變(比如保持CCM不變),匝比變大,一次側Vds增大,一次側Id減小,二次側肖特基反射電壓減小,二次側峰值電流增大。漏感增大。耦合系數減小。如果是二次側有同步整流,那么就不在乎二次側峰值電流的大小,匝比可以盡量增大,使一次側Id變小。如果沒有同步整流,個人覺得還是匝比越小越好,

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2012-05-03 08:07
@wangbo0227
如果你調整匝比產品的電路模式不變(比如保持CCM不變),匝比變大,一次側Vds增大,一次側Id減小,二次側肖特基反射電壓減小,二次側峰值電流增大。漏感增大。耦合系數減小。如果是二次側有同步整流,那么就不在乎二次側峰值電流的大小,匝比可以盡量增大,使一次側Id變小。如果沒有同步整流,個人覺得還是匝比越小越好,

匝比小。。。在輸出低壓時,提升非常明顯。。。

輸出12V時,提升效率約3%。。。。

反射電壓設定在40V。。。。

 

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LV.1
29
2012-05-03 13:25
@dxsmail
匝比小。。。在輸出低壓時,提升非常明顯。。。輸出12V時,提升效率約3%。。。。反射電壓設定在40V。。。。 
反激電壓設置在40V,對于輸出12V的電壓,按照90-264V的輸入,輸出管的loss不知道大不大?
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LV.1
30
2012-05-03 13:29
@
反激電壓設置在40V,對于輸出12V的電壓,按照90-264V的輸入,輸出管的loss不知道大不大?
輸出管要用150V耐壓的肯定就損耗大了,若是輸出管用40V耐壓的估計還行。
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2012-05-03 18:03
@
反激電壓設置在40V,對于輸出12V的電壓,按照90-264V的輸入,輸出管的loss不知道大不大?

最大輸出反壓是120V,所以要用150V的肖特基管。。。

但是效率還是上升了。。。3%。。。。

12V1A我有做過實驗。。。。。

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